Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

52
счет индукционного нагрева держателя и водяного охлаждения стенок реакто-
ра. Через медную трубку индуктора также пропускают воду. Пирамиду-
пластинодержатель выполняют из высокочистых сортов графита, покрытого
карбидом кремния во избежание загрязнений. Для создания идентичных усло-
вий осаждения грани пирамиды имеют наклон 5 - 7
о
(см. рис. 33). Предусмат-
ривается также возможность вращения пирамиды. Реактор представляет собой
кварцевую трубу, на выходе которой отходы реакции собираются специаль-
ным устройством (скруббером), где сжигаются в водородном пламени.
Поскольку подготовленная к эпитаксии пластина в период хранения и
транспортировки способна адсорбировать атмосферные газы, цикл обработки
должен предусматривать удаление поверхностного слоя пластин в реакторе
непосредственно перед наращиванием. С этой целью поверхность обрабаты-
вают водородом при высокой температуре (при этом происходит восстанов-
ление кремния из окисла), а затем хлористым водородом для стравливания
нарушенного слоя. Содержание HCl в H
2
составляет 1 - 2 %. При этом дости-
гается скорость травления примерно 0,5 мкм/мин.
Установки эпитаксиального наращивания управляются от ЭВМ и осна-
щены электронными преобразователями контроля технологических парамет-
ров. Типичная скорость роста пленки составляет 0,3 - 3 мкм/мин.
Таким образом, существующие методы газофазной эпитаксии можно
представить в виде классификационной схемы, приведенной на рис. 34.
Как уже отмечалось, жидкофазная эпитаксия нашла применение в основ-
ном для выращивания пленок сложных полупроводниковых соединений A
III
B
V
и A
II
B
VI
. Типичными примерами являются арсенид галлия GaAs, антимонид
индия InSb, фосфид индия InP и др.
При проведении жидкофазной эпитаксии через граничный слой “раствор-
подложка” пропускают электрический ток, а температура системы поддержи-
вается постоянной. Поскольку подложка и раствор имеют разные термоэлек-
трические коэффициенты, протекание тока через их границу сопровождается
нагревом или охлаждением Пельтье, в зависимости от направления тока. На-
правление тока выбирается таким, чтобы на границе происходило охлажде-
ние. Это приводит к перенасыщению раствора и движению соответствующих
атомов к поверхности вследствие электромиграции (обмена импульсами с
электронами). Изменение температуры на границе лежит в пределах 0,1 - 2
о
С
[5].
Методы газофазной эпитаксии
Прямые Непрямые

Страницы