Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

54
Большинство работ по МЛЭ посвящено формированию многослойных
монокристаллических структур, в которых каждый слой имеет разный компо-
нентный состав, но одинаковую постоянную кристаллической решетки. Тол-
щина каждого слоя может составлять 5 - 40 нм.
Типичный пример установки МЛЭ приведен на рис. 35.
Пучок молекул кремния формируется при помощи источника с нагревом
электронным лучом. Для наращивания легированных слоев используются
ячейки, содержащие примеси и снабженные резистивными нагревателями.
Поскольку процесс наращивания происходит в сверхвысоком вакууме, испа-
рительные элементы окружены охлаждающими устройствами с жидким азо-
том во избежание загрязнения объема реактора молекулами нагреваемых кон-
струкций.
2.11. Использование синхротронного излучения для рентгенолит о графии
Одним из перспективных методов литографии является рентгенолито-
графия с использованием источников синхротронного излучения, являющихся
самыми яркими источниками мягкого рентгеновского излучения [5].
Синхротронное излучение генерируется в накопительных кольцах, или
синхротронах, высокоэнергетическими (релятивистскими) электронами, кото-
рым при помощи магнитного поля сообщается центростремительное ускоре-
ние. Принцип экспонирования при помощи синхротронного излучения пока-
зан на рис. 36.
Мощность излучения Р (кВт) в данном случае определяется выражением
P = 2,66⋅BE
3
, (31)
где В - магнитная индукция (Тл); Е - энергия электронов (ГэВ).
При этом синхротронное излучение сконцентрировано в расходящемся
конусе с углом α (мрад) при вершине
α ≈ 0,5/E. (32)
Например, для накопительно-
го кольца Стэнфордского универ-
ситета полная мощность излуче-
ния равна 105 кВт при энергии
электронов 3,5 ГэВ, магнитной
индукции 0,92 Тл, радиусе орбиты
электронов 12,7 м, токе электро-
нов в накопительном кольце 0,1 А.
Из выражения (32) следует,
что кроме большой мощности
излучения источники синхротрон-
Рис. 35. Пример установки МЛЭ
Рис. 36. Принцип экспонирования
синхротронным излучением

Страницы