ВУЗ:
Составители:
56
плазменное) травление, основанное на проведении в плазме химических реак-
ций, приводящих к травлению.
Ионное травление характеризуется высокой анизотропией, что позволяет
повысить качество травимого рисунка. Но в силу сложной зависимости коэф-
фициента распыления от энергий падающих ионов и существования опреде-
ленного оптимального диапазона энергий, производительность данного про-
цесса достаточно низкая. Кроме того, в результате ионного травления в образ-
це образуется большое число дефектов, что далеко не всегда желательно. Еще
одной серьезной проблемой ионного травления является низкая избиратель-
ность по отношению к различным материалам.
Плазменное травление практически свободно от перечисленных недос-
татков. Характеризуется высокой производительностью за счет протекания
химических реакций в плазме и сравнительно низкой плотностью дефектов,
но при этом несколько снижается анизотропия процесса травления. Благодаря
химической природе процесса, его избирательность по отношению к различ-
ным материалам более высокая, чем у ионного травления, но все же значи-
тельно уступает влажному травлению. Кроме того, в данном случае сложнее
контролировать процесс травления, чем при распылении, проходящем в
сверхглубоком вакууме.
Таким образом, получаем следующую классификацию методов травле-
ния (рис. 37):
Методы травления
Влажное Сухое
Ионное Плазменное
Рис. 37. Классификация методов травления
Проблема снижения анизотропии проявляется особенно сильно при ис-
пользовании для плазменного травления цилиндрического реактора. В этом
случае пластины помещаются в цилиндрическую кварцевую трубу, в которой
поддерживается низкое давление (2,5 - 2500 Па). На электроды, расположен-
ные вне тру бы, подается высокочастотное напряжение (с частотой порядка 15
МГц), в результате чего в трубе образуется газоразрядная плазма и начинается
травление обрабатываемого слоя за счет протекания химической реакции, в
результате которой травимый материал образует летучие соединения. Образ-
цы располагаются в трубе горизонтально или вертикально. Вследствие осо-
бенностей размещения пластин относительно электродов и определенного
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »