Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 49 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 33. Схема установки для проведения эпитаксии посредством реакций

восстановления

В данной установке с вертикальным реактором для выделения кремния и

легирующей примеси используются реакции восстановления, причем источ-

ники кремния (SiCl

) и примеси (BBr

) - жидкие. Водород выполняет роль

реагента и газа-носителя для транспортировки паров SiCl

и BВr

. Азот при-

меняется для продувки системы. Хлористый водород - для травления пластин.

Углекислый газ - для получения пленки окисла на поверхности эпитаксиаль-

ной пленки. Каждый газ подается из соответствующего баллона по отдельной

магистрали, содержащей фильтр, регулятор давления, запорный вентиль, ма-

нометр, ротаметр (для измерения расхода газа) и клапан с электромагнитным

управлением.

Основные реагенты в поток газа-носителя подаются, как правило, барбо-

тажным методом или испарением с поверхности. При барботажировании газ-

носитель пропускают через жидкость для насыщения ее парами (см . рис. 33).

В источниках испарительного типа газ проходит над поверхностью жидкости,

захватывая ее пары. В обоих случаях степень насыщения водорода парами

определяется его расходом и температурой источника. Источники размещены

в термостатах, позволяющих поддерживать температуру с точностью ±1

С.

Наряду с вертикальными реакторами (см . рис. 33), используют также го-

ризонтальные. Но в вертикальных реакторах за счет осевой симметрии конст-

рукции легче получить симметрию температурного и газодинамического по-

лей, что при многоместной обработке обеспечивает более высокую воспроиз-

водимость результатов.

Температура, необходимая для гетерогенной реакции, создается непо-

средственно на поверхности пирамидального держателя пластин, в то время

как стенки реактора остаются относительно холодными. Это достигается за