Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 62 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

123
Таблица 4
Сигналы и временные параметры ЗУ
Обозначение Пояснение
A Сигнал адреса
CS Сигнал выборки
RD Сигнал чтения
WR Сигнал записи
DI Входной сигнал данных
DO Выходной сигнал данных
t
A
Время выборки – интервал времени между моментом подачи
сигнала адреса и моментом появления выходного сигнала
данных в режиме чтения
t
SU
Время установления – интервал времени между моментами
подачи двух входных сигналов на различных входах
t
W
Длительность сигнала – интервал времени между определен-
ными точками на переднем и заднем фронтах сигнала
t
V
Время сохранения – интервал времени между моментами
окончания двух сигналов на различных входах
t
CY
Время цикла – интервал времени между моментами начала
(или окончания) сигнала на одном из входов
Примечание: Сокращенные наименования сигналов, для которых приводятся вре-
менные параметры, даются в индексах заключенными в скобки (см. рис. 77, 78).
Маршрут автоматического проектирования статических ЗУ на основе КМОП-
библиотеки:
1) ввод исходных данных: число разрядов адреса R
A
; число разрядов данных R
D
;
максимально допустимое время выборки t
A
MAX
; минимальная длительность вы-
ходного сигнала данных t
W(DO)
MIN
; организация ЗУ (линейная – 1D или двухко-
ординатная – 2D); библиотека элементов ЗУ;
2) определение максимально допустимого времени заряда шин выборки (ШВ)
t
ШВ
MAX
:
U
U
U
ttt
t
ПИ
Т
ПИТ
DORDSUCSASU
MAX
A
MAX
ШВ
D-
+
--
=
--
ln5.21
)()(
, (136)
где t
SU(A-CS)
– время срабатывания дешифратора адреса; t
SU(RD-DO)
– время сра-
батывания усилителя считывания; U
ПИТ
– напряжение питания ЗУ; DU – по-
124
рог срабатывания усилителя считывания (минимальная разность напряжений
на разрядных шинах (ШР), приводящая к переключению усилителя считыва-
ния в соответствующее устойчивое состояние).
t
SU(RD-DO)
= 0,4 R
УС
С
УС
R
D
2
, (137)
где R
УС
, С
УС
- сопротивление и емкость управляющей линии усилителя счи-
тывания;
3) определение ширины каналов транзисторов для формирователей импульсов
выборки:
()
()
N
R
CtUUC
NLC
W
ШВШВШВ
MAX
ШВПИТ
pn
ШВШВ
ФИ
pn
2
0000
,
0
,
4.0
4.0
--
=
m
, (138)
где L – длина канала; R
ШВ0
, С
ШВ0
– сопротивление и емкость шины выборки,
приходящиеся на одну ячейку памяти (ЯП); m
n,p
– подвижность электронов
(дырок); С
0
– удельная емкость подзатворного диэлектрика; U
0
– пороговое
напряжение МДП-транзисторов; N
ШВ
– число ЯП, подключенных к одной
ШВ в одной секции ЗУ.
N
ШВ
= R
D
для 1D; (139)
N
ШВ
= 2
R
A
/2
R
D
для 2D; (140)
4) если
W
n,p
ФИ
> W
MAX
ФИ
или W
n,p
ФИ
< 0, (141)
то переход к п. 5, иначе – к п. 6;
5) R
А
:= R
А
/2; х := х + 1.
Переход к п. 3;
6) определение числа секций ЗУ:
N
С
= 2
х
; (142)
7) определение времени заряда шин выборки:
()
NС
UUCW
L
N
R
t
ШВШВ
ПИТ
ФИ
n
n
ШВ
ШВ
ШВ 0
00
0
4.0
÷
÷
ø
ö
ç
ç
è
æ
-
+=
m
; (143)

Страницы