Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

127
элементной базы, методов проектирования и технологических процессов производ-
ства специализированных СБИС в значительной степени определяют темпы разви-
тия практически во всех областях науки и техники.
Сокращение минимальных размеров интегральных структур, повышение сте-
пени интеграции и функциональной сложности интегральных схем при расширении
областей применения СБИС (транспорт, предприятия химической промышленности,
подводные и космические исследования и др.) предъявляют повышенные требова-
ния к быстродействию и надежности интегральных схем в различных условиях экс-
плуатации, в том числе и экстремальных. Это привело к расширению исследований
по использованию для производства СБИС наряду с кремнием широкозонных полу-
проводников (арсенида галлия, карбида кремния, нитрида алюминия, алмаза и др.), а
также неполупроводниковых материалов.
В монографии нашли отражение основные тенденции развития специализиро-
ванных сверхбольших интегральных схем, наиболее важные операции в современ-
ных технологических процессах их производства, некоторые перспективные на-
правления развития субмикронной элементной базы, модели и методики моделиро-
вания субмикронных интегральных элементов, особенности организации современ-
ных САПР и маршруты проектирования СБИС с использованием языка VHDL.
128
ЛИТЕРАТУРА
1. Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Пер. с англ. под. ред. В.И. Сифоро-
ва – М.: Мир, 1980. – 296 с.
2. Электронная промышленность, 2001, №1.
3. Шагурин И.И., Бердышев Е.М. Процессоры семейства Intel P6. Архитектура,
программирование, интерфейс. – М.: Горячая линия – Телеком, 2000. – 248 с.
4. Шагурин И.И. Особенности архитектуры процессоров Pentium 4 // Chip News. –
2000. № 10. С.2-6.
5. National Technology Roadmap for Semiconductors, 1994, 1997. –
http://www.ntrs.com
6. Королев Н. ATMEL EPSLIC: элементная база XXI века // Chip News. – 2001. № 1.
С.16-19.
7. International Technology Roadmap for Semiconductors, 1999. – http://www.itrs.com
8. http://www.cadanse.com
9. http://www.mentor.com
10. http://www.tanner.com
11. http://www.mentor.com/soc
12. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. – Но-
восибирск: НГТУ, 2000. - 332 с.
13. Коноплев Б.Г. Проектирование СБИС и их применение в ЭВА. Ч. 1. – Таганрог:
ТРТИ, 1984. – 45 с.
14. Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем: В 2-х
кн. Кн. 1. Пер. с англ. – М.: Мир, 1985. – 288 с.
15. Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем: В 2-х
кн. Кн. 2. Пер. с англ. – М.: Мир, 1985. – 290 с.
16. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г., Фомичев А.В. Базовые матричные кристаллы.
Проектирование специализированных БИС на их основе. – М.: Радио и связь,
1985. – 80 с.
17. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Конструирование микросхем и микропроцессо-
ров. – М.: Радио и связь, 1986. – 176 с.
18. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Базовые матричные кристаллы и программируе-
мые логические матрицы. – М.: Высш. шк., 1987. – 94 с.
19. Эйрис Р. Проектирование СБИС. Метод кремниевой компиляции. Пер. с англ. –
М.: Наука, 1988. – 456 с.
20. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проектирование/ Б.Н.
Файзулаев, И.И. Шагурин, А.Н. Кармазинский и др. Под ред. Б.Н. Файзулаева и
И.И. Шагурина. – М.: Радио и связь, 1989. – 304 с.
21. Коноплев Б.Г. Проектирование СБИС и их применение в ЭВА. Ч. 2. – Таганрог:
ТРТИ, 1991. – 45 с.

Страницы