ВУЗ:
Составители:
129
22. Адамов Ю.Ф., Баринов В.В. Введение в конструирование элементов СБИС. – М.:
МГИЭТ (ТУ), 1996. – 146 с.
23. Рындин Е.А. Проектирование специализированных СБИС. – Таганрог: Изд-во
ТРТУ, 1999. – 112 с.
24. Баринов В.В., Калинин А.В., Киреев В.Ю. Кластерное производство специализи-
рованных СБИС // Известия вузов. Электроника. 2000. - № 4-5. – С. 98 – 102.
25. Таруи Я. Основы технологии СБИС: Пер. с япон. – М.: Радио и связь, 1985. – 480
с.
26. Валиев К.А., Раков А.В. Физические основы субмикронной литографии в микро-
электронике. – М.: Радио и связь, 1984. – 352 с.
27. Савинский Н.Г., Мячин Л.М., Гущин О.П., Просий А.Д., Горнев Е.С. Технология
субмикронной оптической проекционной литографии с использованием фото-
шаблонов с фазовым сдвигом // Тезисы докладов Всероссийской НТК «Микро- и
наноэлектроника 2001». – Звенигород, 2001. Т.1. Л2-5.
28. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов: Монография / АН
ЛитССР. Ин-т физики полупроводников. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 261 с.
29. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. – М.:
Мир, 1991. – 632 с.
30. Кремлев В.Я. Структурная база сверхбольших интегральных схем // Итоги науки
и техники. Серия «Электроника». - М.: ВИНИТИ АН СССР, 1987. - Т.10. - С. 63 -
94.
31. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энер-
гия, 1973. - 608 с.
32. Shur M. GaAs devices and circuits. New York and London: Plenum Press, 1987. – 670
p.
33. Solomon P.M., Morkoc H. Modulation-doped GaAs/AlGaAs geterojunction field-
effect transistors (MODFET’s), ultrahigh-speed device for supercomputers // IEEE
Trans. Electron Dev. 1984. Vol. ED-31, N 8. – P. 1015 – 1027.
34. Weimann G., Schlapp W. Molecular beam epitaxial growth and transport properties of
modulation-doped AlGaAs - GaAs heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 46,
N 4. – P. 411 – 413.
35. Heiblum M., Mendez E.E., Stern F. High mobility electron gas in selectively-doped n:
AlGaAs/GaAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44, N 11. – P. 1064 –
1066.
36. English J.H., Gossard A.C., Stormer H.L. et al. GaAs structures with electron mobility
of 5x106 cm2/Vs // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50, N 25. – P. 1826 – 1828.
37. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989. – 632 с.
38. Лучинин В.В., Мальцев П.П., Маляков Е.П. Широкозонные материалы – основа
экстремальной электроники будущего // Микроэлектроника, 1999. Т.28, № 1, с.
21 – 29.
130
39. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Карбид кремния – перспективный материал элек-
тронной техники // Известия вузов. Электроника. - 1997. - №1.-C. 10-37.
40. Harris G.L. Properties of Silicon Carbide // Materials Science Research Center of Ex-
cellence Howard University, Washington, DC, USA, 1999.
41. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Исследование характеристик СБИС на основе ПТШ
с термозависимым источником питания // Труды Третьей международной науч-
но-технической конференции "Электроника и информатика XXI век". - Москва,
2000. С.232, 233.
42. Рындин Е.А. Метод повышения характеристик СБИС на основе комплементар-
ных ПТШ // Известия ТРТУ, № 1, 2001. С.93 - 95.
43. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эф-
фекты в элементах интегральных микросхем. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 286
с.: ил.
44. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Интегральный логический элемент "И-ИЛИ-НЕ".
Патент РФ № 2166837. - 2001.
45. Кузьминский М. Долгая дорога к вершине // Мир компьютеров. Россия, 1999. -
№ 37. – С. 38 – 39.
46. Eaglesham D.J. 0,18mm CMOS and beyond // DAC-36, 1999.
47. Рындин Е.А. Сверхбыстродействующие элементы СБИС на основе полевых
транзисторов Шоттки со статической индукцией // Проектирование и технология
электронных средств, 2001. - №Х. – С.ХХ.
48. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Полевые транзисторы с токами, ограниченными
пространственным зарядом // Труды Седьмой международной научно-
технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и
микроэлектроники" (ПЭМ-2000). – Таганрог: ТРТУ, 2000. – Ч.2. - С. 72-74.
49. Валиев К.А. О квантовых компьютерах. // Известия вузов. Электроника. - 1997. -
№1.-C. 10-37.
50. Mori T., Ohnishi H., Imamura K. et al. Resonant tunneling hot-electron transistor with
current gain of 5 // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49, № 26. P. 1779 – 1780.
51. Muto S., Yokoyama N. Resonant-tunneling hot electron transistors // Abstracts of 19
th
Intern. Conf. Phys. Semicond. Warsaw, Poland, 15 – 19 August, 1988. Fr-A-II –
1(inv).
52. Shibatomi A., Yokoyama N. Resonant tunneling transistors // Solid State Technology.
1987. Vol. 30, № 11. P. 101 - 105.
53. Bonnefoi A.R., Chow D.H., McGill T.C. Inverted base-collector tunnel transistors //
Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47, № 8. P. 888 – 890.
54. Woodward T.K., McGill T.C., Chung H.F. et al. Integration of a resonant-tunneling
structure with a metall-semiconductor field-effect transistor // Appl. Phys. Lett. 1987.
Vol. 51, № 19. P. 1542 – 1544.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- …
- следующая ›
- последняя »