Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

131
55. Lakhani A.A., Potter R.C., Hier H.S. Eleven-bit paritygenerator with a single, verti-
cally integrated resonant tunneling device // Electron. Lett. 1988. Vol. 24, № 11. P.
681 – 682.
56. Аверин Д.В., Лихарев К.К. Когерентные колебания в туннельных переходах ма-
лых размеров // ЖЭТФ. – 1986. – Т. 90, вып. 2. – С. 733 – 746.
57. Лихарев К.К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных
схем на основе эффекта дискретного одноэлектронного туннелирования // Мик-
роэлектроника. – 1987. – Т. 16, вып. 3. – С. 195 – 209.
58. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлек-
тронных транзисторов. – Мн.: Бестпринт, 2000. – 164 с.
59. Matsuoka H., Kimura S. Transport properties of a silicon single-electron transistors at
4,2 K // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66, № 5. P. 613 – 615.
60. Валиев К.А., Кокин А.А. Из итогов ХХ века: от кванта к квантовым компьюте-
рам // Известия вузов. Электроника. 2000. № 4-5. С. 46 – 52.
61. Kane B.E. A Silicon-based nuclear spin quantum computer // Nature. 1998. Vol. 393,
14 May. P. 133 – 137.
62. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. /Под ред.
П.Антонетти, Д.Антониадиса, Р.Даттона, У.Оулдхема. Пер. с англ. В.Л.Кустова,
В.М.Петрова, О.В.Селляховой. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с.: ил.
63. Носов Ю.Р., Петросян К.О., Шилин В.А. Математические модели элементов иа
егральной микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1976. - 304 с., ил.
64. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий приборов и
схем. - М.: Высшая школа, 1989.
65. Gummel H.K., “A Self-Consistent Iterative Scheme for One-Dimensional Steady State
Transistor Calculations”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-11, pp. 455-465,
1964.
66. De Mary A., “An Accurate Numerical Steady-State One-Dimensional Solution of the
P-N-Junction”, Solid-State Electron., Vol. 11, pp. 33-58, 1968.
67. De Mary A., “An Accurate Numerical One-Dimensional Solution of the P-N-Junction
under Arbitrary Transient Conditions”, Solid-State Electron., Vol. 11, pp. 1021-2053,
1968.
68. Scharfetter D.L., Gummel H.K., “Large-Signal Analysis of a Silicon Read Diode Os-
cillator”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-16, pp. 64-77, 1969.
69. Kennedy D.P., O’Brien R.R., “Two-Dimensional Mathematical Analysis of a Planar
Type Junction Field-Effect Transistor”, IBM J. Res. Dev., Vol. 17, pp. 2-12, 1973.
70. Chamberlain S.G., Husain A., “Three-Dimensional Simulation of VLSI MOSFET’s”,
Proc. International Electron Devices Meeting, pp. 592-595, 1981.
71. Yoshii A., Horiguchi S., Sudo T., “A Numerical Analysis for Very Small Semiconduc-
tor Devices”, Proc. International Solid-State Circuits Conf., pp. 80-81, 1980.
132
72. Yoshii A., Kitazawa H., Tomizawa M., Horiguchi S., Sudo T., “A Three-Dimensional
Analysis of Semiconductor Devices”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-29, pp.
184-189, 1982.
73. Елисеев В.С., Миргородский Ю.Н., Руденко А.А. Численные методы анализа
двумерных полупроводниковых структур. - В кн.: Микроэлектроника. Под ред.
А.А.Васенкова. Вып. 8. М., “Сов. радио”, 1975.
74. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интеграль-
ных схем./Под ред. А.Г. Шашкова. - Мн.: Выш. шк., 1990. - 224 с., ил.
75. Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. - М.: Наука,
1985. - 320 с., ил.
76. Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых
интегральных микросхем. - Мн.: БГУ, 1999. - 189 с.
77. Рындин Е.А. Разработка и исследование методов моделирования адаптирован-
ных к САПР элементов специализированных СБИС для интегральных радио-
электронных устройств: Диссертация на соискание ученой степени канд. техн.
наук: 05.27.05. – Таганрог, 1997. – 239 с.
78. Рындин Е.А., Куликова И.В. Алгоритм физико-топологического моделирования
ПТШ // Труды Шестой международной научно-технической конференции "Ак-
туальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-99).
- Дивноморское, 1999. - с.140.
79. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Методика интегрирования токов во внешних выво-
дах элементов на грубых координатных сетках // Труды Пятой Всероссийской
научно-технической конференции с международным участием "Актуальные
проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-98). - Дивно-
морское, 1998. - с.119.
80. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов.
Последние достижения: Пер. с англ./ Под ред. Д. Миллера. – М.: Радио и связь,
1989. – 280 с.
81. Рындин Е.А. Модель субмикронной МДП-структуры с учетом баллистического
пролета носителей // Тезисы докладов Второй Всероссийской НТК “Компьютер-
ные технологии в науке, проектировании и производстве”. Ч.2. – Нижний Новго-
род: НГТУ, 2000. – С. 29.
82. Пономарев М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА. - М.:
Радио и связь, 1982. - 288 с.
83. Киреев П.С. Физика полупроводников. - М.: Высшая школа, 1969. - 592 с.
84. Ruff M., Mitlehner H., Helbig R. SiC devices: physics and numerical simulation //
IEEE Transactions on electron devices, vol.41, No.6, 1994. – pp. 1040-1053.
85. Bakowski M., Gustafsson U., Lindefelt U. Simulation of SiC high power devices //
Phys. stat. sol. 162, 1997 – pp. 421-439.
86. Киносита К., Асада К., Карацу О. Логическое проектирование СБИС: Пер. с
япон. - М.: Мир, 1988. - 309 с., ил.

Страницы