Электрический ток в наноструктурах: кулоновская блокада и квантовые точечные контакты. Щелкачёв Н.М - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МФТИ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

G
e
h(2 / )
2
V
g
(В)
V
g
(В)
V (мВ)
G (мкСм)
200 мК
а)
б)
Рис. 6. (а) Линейный кондактанс (G = dI/dV при V → 0) в зависимости
от потенциала затвора при разных температурах. Увеличение температу-
ры соответствует переходу к более высоколежащим кривым. (б) Оттенка-
ми серого показан дифференциальный кондактанс G = dI/dV в зависи-
мости от потенциала затвора V
g
и напряжения между резервуарами V .
Нулевой кондактанс обозначен чёрным (центральный горизонтальный
ряд «алмазов»), более светлые тона обозначают конечный кондактанс.
Оба графика построены при параметрах, близких к реальным экспери-
ментам: R
1
= R
2
= 60 кОм, C
1
= C
2
= 50 · 10
−18
Ф, C
g
= 2 · 10
−18
Ф.
[Графики взяты из диссертации E. Pallecchi (Регенсбург, 2009)]
26
                                                            200 мК
а)


      G (2e2/h)


                                   Vg (В)


б)
          V (мВ)




                                     Vg (В)

                   G (мкСм)

Рис. 6. (а) Линейный кондактанс (G = dI/dV при V → 0) в зависимости
от потенциала затвора при разных температурах. Увеличение температу-
ры соответствует переходу к более высоколежащим кривым. (б) Оттенка-
ми серого показан дифференциальный кондактанс G = dI/dV в зависи-
мости от потенциала затвора Vg и напряжения между резервуарами V .
Нулевой кондактанс обозначен чёрным (центральный горизонтальный
ряд «алмазов»), более светлые тона обозначают конечный кондактанс.
Оба графика построены при параметрах, близких к реальным экспери-
ментам: R1 = R2 = 60 кОм, C1 = C2 = 50 · 10−18 Ф, Cg = 2 · 10−18 Ф.
     [Графики взяты из диссертации E. Pallecchi (Регенсбург, 2009)]


                                26

Страницы