ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
GATE
N
1
N
1
N
2
N
2
2DEG
2DEG
V
g
V
g
V
1
V
2
GATE
GATE
Рис. 8. Схема экспериментальной реализации точечного контакта. Два
массивных электрода соединены слоем двумерного электронного газа
(2DEG), возникающего в полупроводниковой гетероструктуре. Сужение
формируется с помощью напряжения V
g
, подаваемого на затвор (gate).
Такой способ формирования сужения называется техникой расщеплён-
ного затвора (split-gate technique [11])
30
N1 GATE N2 2DEG Vg V1 V2 GATE N1 2DEG N2 GATE Vg Рис. 8. Схема экспериментальной реализации точечного контакта. Два массивных электрода соединены слоем двумерного электронного газа (2DEG), возникающего в полупроводниковой гетероструктуре. Сужение формируется с помощью напряжения Vg , подаваемого на затвор (gate). Такой способ формирования сужения называется техникой расщеплён- ного затвора (split-gate technique [11]) 30
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »