Расчет и анализ усилительных устройств на транзисторах. Селиванова З.М. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

21 20 47 18
3⋅10
4
97 4
Продолжение табл. 1
Номер
вари-
анта
U
n
, В R
н
, Ом f
н
, Гц f
в
, Гц
K
u
Σ
U
m
, В
22 20 48 22
7⋅10
4
96 6
23 20 46 17
9⋅10
4
95 5
24 20 49 16
6⋅10
4
98 8
25 20 45 20
4⋅10
4
99 6
26 20 50 18
8⋅10
4
95 7
27 20 48 19
2⋅10
4
94 5
28 20 46 15
3⋅10
4
96 4
29 20 47 17
7⋅10
4
97 8
30 20 49 20
5⋅10
4
98 6
5 МЕТОДИКА ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАНИЯ
НА КУРСОВОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
1 В соответствии со своим вариантом, который определяется двумя последними цифрами номера
зачетной книжки, выписывают исходные данные для расчета из таблицы 1:
U
п
= 20 В; R
н
= 51 Ом; f
н
= 20 Гц; f
в
= 2 10
4
Гц; K
u
Σ = 100; U
m
= 7 В.
2 Рассчитывают каскад на транзисторе VT
3
. При этом определяют максимальный эмиттерный ток
транзистора VT
3
из условия, что на рабочей частоте резисторы R
э3
и R
н
включены параллельно:
I
э3max
= 2U
mвых
(R
э3
+ R
н
)/(R
э3
⋅R
н
).
Минимальное падение напряжения на резисторе R
к2
U
Rк2
min = U
п
– 2⋅U
mн
– U
бэз
– U
кэ2
.
Сопротивление резистора R
к2
R
к2
= U
rк2
min(h
21эз
+ 1)/I
эз
max.
Для обеспечения термостабильности каскада воспользуемся известным соотношением
R
б
= R
э
(S
i
– 1),
где S
i
= 2 … 5 – коэффициент нестабильности.
Так как для каскада на транзисторе VT
3
R
б
= R
к2
, получаем
U
rк2
min(h
21эз
+ 1)/I
эз
max = R
эз
(S
i
– 1).
Для выбора типа выходного транзистора допустим, что R
н
= R
эз
. Тогда транзистор должен отвечать
следующим требованиям:
I
к
max доп > 2U
m
вых(2/R
н
) = 0,55 А;
U
кэ
max доп > U
п
= 20 В;
f
р
> f
в
= 2 10
4
Гц;
I
к
> (U
п
– U
m
)
2
/R
н
= (20 – 7)
2
/51 = 3,31 Вт.
По полученным данным, по справочнику выбирают транзистор
КТ 815А со следующими параметрами: U
кэ
= 40 В; I
к
max = 1,5 А;
P
к
= 10 Вт h
21э
= 40; f
гр
= 5 МГц.
Полагая U
Rэ2
= 2 В, S
i
= 5, U
бэз
= 0,8 В, с учетом выражения для минимального напряжения на рези-
сторе R
к2
, находят

Страницы