Расчет и анализ усилительных устройств на транзисторах. Селиванова З.М. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

1881
)13(72
)140(2,3
511
)1(2
)1min(
н
21
э3
э
=
−
−⋅
+
=
−
−
+
= R
SU
hU
R
im
R
Ом.
Принимают R
эз
= 180 Ом.
3 Рассчитывают каскад на транзисторе VT
2
:
372
)51180(72
18051)140(2,3
к2
=
+⋅
⋅
+
=R
Ом.
Принимают R
к2
= 360 Ом.
Определяют ток покоя транзистора VT
2
28
360
8,07220
к2
бэ3гэ2п
к2п
=
−−−
=
−−−
=
R
UUUU
I
m
мА.
R
э2
= U
rэ2
/I
к2п
= 2/28 = 71 Ом.
Принимают R
э2
= 68 Ом.
Транзистор VT
2
должен отвечать следующим требованиям:
I
к
max доп > U
п
/R
к2
= 55 мА;
U
кэ
max доп > U
п
= 20 В;
f
р
>2·10
4
Гц;
I
к
max доп > I
кп
U
кэп
= 28·7 = 196 мВт.
По полученным данным по справочнику выбирают транзистор
КТ 503Б со следующими параметрами:
U
кэ
max доп = 25 В;
I
к
max доп = 150 мА;
I
к
max доп = 350 мВт;
h
21
= 80 – 120;
f
гр
= 5 МГц.
На основе известного расчетного соотношения: R
б
= R
э
(S
i
– 1) получают R
б2
= R
э2
(S
i
– 1) = 68(5 – 1) =
272 Ом.
Тогда (R
бз
·R
б4
)/(R
бз
+ R
б4
) = R
б2
;
U
п
·R
б4
(R
бз
+ R
б4
) = U
rэ2
+ U
бэ2
= U
б2
.
Из приведенных выражений при условии U
бэ
= 0,75 В находят:
330Ом315
75,220
20272
б2п
пб2
б4
==
−
⋅
=
−
=
UU
UR
R Ом;
2Ом2070330
75,2
75,220
б4
б2
б2п
б3
==
−
=
−
= R
U
UU
R кОм.
Ток покоя базы транзистора VT
2
I
б2п
= I
к2п
/h
21э
= 28/80 = 0,35 мА.
Ток делителя на резисторах R
бз
,R
б4
I
дел
= U
п
/(R
бз
+ R
б4
) = 20/(2,0 + 0,33) = 8,58 мА;
I
дел
>> I
б2п
– отвечает условию независимости выходного напряжения делителя U
б2
от тока базы VT
2
.
Сопротивление нагрузки каскада на транзисторе VT
2
R
н
= R
к2
║(R
эз
║Rн)h
21эз
= 293 Ом.
Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2 без учета действия цепи местной ООС (R
вх
=
230 Ом)
К
uк
= R
н
h
21э
/R
вх
= 293· 80 / 230 = 101,9 = 102.
Сопротивление нагрузки для каскада на транзисторе VT
1
по переменному току
1/R
н2
= 1/R
бз
+ 1/R
б4
+ 1/R
вх
= 1/2 + 1/0,33 + 1/0,23;
R
н2
= 127 Ом.
4 Рассчитывают каскад на транзисторе VT1.
Резистор R
к1
определяют из условия
R
к1
= >>R
н2
.

Страницы