Расчет и анализ усилительных устройств на транзисторах. Селиванова З.М. - 13 стр.

UptoLike

Составители: 

Принимают R
к1
= 1 кОм.
Ток покоя транзистора VT1 в предположении, что U
к1
= U
п
/2, равен
I
к1п
= (U
п
-U
к1
)/R
к1
= 10 мА.
Транзистор VT
1
выбирают из условий:
I
к
max доп > U
п
/R
к1
= 20 мА;
U
кэ
max доп > U
п
= 20 В;
f
р
> 2 · 10
4
;
I
к
max доп > I
к1п
U
кэп
= 100 мВт.
Этим требованиям удовлетворяет транзистор КТ 315 Б:
U
кэ
= 20 В, I
к
= 100 мА, I
к
= 150 мВт,
h
21э
= 50 … 350, f
гр
= 250 МГц.
Ток покоя базы транзистора VT
1
I
б1п
= I
кп
/h
21э
min = 10/50 = 0,2 мА.
Принимают ток делителя на резисторах R
б1
, R
б2
равным
I
дел1
= 10 I
б1п
.
Тогда
R
б1
+ R
б2
= U
п
/I
д1
= 20(10 0,2) = 10 кОм.
Значение Rэ1 = R
э1
+ R
э
находят из условия
R
б
= R
э
(S
i
– 1) в предположении S
i
= 5,5 и U
бэ1
= 0,75В
R
б1
·R
б2
/(R
б1
+ R
б2
) = R
э1
(S
i
– 1);
U
п
R
б2
/(R
б1
+ R
б2
) = U
бэ1
+ I
к
R
э1
.
Решая приведенные уравнения и округляя полученные значения до ближайших из стандартного ря-
да величин, находят R
э1
= 390 Ом;
кОм3,2
20
10)39,0107,0(
))((
п
2б1б
1э
кбэ
2б
=
+
=
++
=
U
RRRIU
R
Принимают R
б2
= 2,4 кОм; R
б1
= 10 – R
б2
= 10 – 2,4 = 7,6 кОм. Принимают R
б1
= 7,5 кОм.
Для введения общей цепи ООС резистор R
э1
разделяют в соотношении
R
э1
= 360 Ом; R
э1
= 30 Ом.
Тогда коэффициент усиления каскада транзистора VT1 по переменному току
K
u1
= R
н2
R
к1
/R
э1
= 112/30 = 3,7.
Входное сопротивление усилителя для переменной составляющей находят из условия
1/R
вх
= 1/R
б1
+ 1/R
б2
+ 1/(h
21э1
R
э1
), откуда R
вх
= 0,82 кОм.
5 Рассчитывают цепи связи и конденсаторы цепи местной ООС.
Расчет конденсаторов схемы выполняют, полагая, что разделительные и эмиттерные конденсаторы
формируют значение f
н
,
а конденсатор
C
ос
значение f
в
усилителя. Так как усилитель трехкаскадный, то для получения требуемого значения
ω
н
необходимо, чтобы частота среза каждого каскада была равна ω
срн
< ω
н
/2. Тогда суммарный коэффи-
циент усиления на частоте ω
н
достигнет 3 дБ.
Используя выражения для усилителя с RC-связями, получим
;
)(
1
эвх
2
ээвх2
срн
RR
R
RCRR
++
+
=ω
R
2
= (R
б
R
c
)/(R
б
+ R
с
);
(R
c
+ R
б
)С
р
= R
э
С
э
.
Тогда соответственно получим для каскада на транзисторе VT
1
:
R
2
= R
б1
R
б2
/(R
б1
+ R
б2
) + h
21
·R
э
= 3,32кОм;