Контроль параметров микроструктуры материалов методами дифракционного анализа - 32 стр.

UptoLike

которым соответствуют большие значения
g
.
При данной температуре множитель Дебая Уоллера
дифракционной линии уменьшается с увеличением величины вектора
обратной решетки
g
, связанного с отражением. Чем больше
| |
g
, тем
слабее будет отражение при высоких температурах. Температурная
зависимость интенсивности отраженного излучения для отражений
( )
h00
в алюминии показана на рисунке 16.
Рис.16. Температурная зависимость интенсивности
дифракционных максимумов
( )
h00
для алюминия
Отражения с нечетными
( )
h00
с нечетными значениями
h
запрещены в ГЦК структуре.
32