ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
а б в
г д е
Рис. 3. Фрагмент двухмерной кристаллической решетки, рассматриваемой как плот-
нейшая шаровая упаковка (а), редчайшее покрытие плоскости равными шарами (б) и
разбиение Вороного-Дирихле (в). При образовании плотнейшей упаковки два соседних
«жестких» атома могут только соприкасаться друг с другом (г), тогда как при образо-
вании покрытия два соседних «мягких» атома должны перекрываться (взаимопрони-
кать) (д), а при образовании разбиения – взаимно деформироваться (е)
логично
Δ
3
, однако, поскольку шары пересекаются, то, в отличие от Δ
3
,
Θ
3
>1. Любому способу взаимного размещения точек в пространстве теоре-
тически отвечает бесчисленное множество покрытий, различающихся зна-
чением
Θ
3
. Из всех возможных покрытий пространства наиболее эконом-
ным является «редчайшее», которому соответствует наименьший возмож-
ный радиус пересекающихся шаров и, как следствие, отвечает минималь-
ное значение
Θ
3
. В двумерном случае расположение эквивалентных точек,
отвечающее редчайшему покрытию (рис. 3б), совпадает с таковым для
плотнейшей упаковки (рис. 3а). Однако в трехмерном случае ситуация
принципиально отличается – редчайшему покрытию отвечает только объ-
емноцентрированная кубическая (ОЦК
) решетка, которой соответствует
минимальное значение
Θ
3
=1.46 [21]. Для сравнения заметим, что распо-
ложению центров шаров по решетке любой из плотнейших упаковок (ГПУ
или ГЦК) соответствует
Θ
3
=2.09. Отметим, что модель редчайшего покры-
тия трехмерного пространства шарами до последнего времени в кристал-
лохимии практически не использовалась, хотя представление атомов де-
формируемыми сферами и анализ энергетических различий между плот-
нейшими шаровыми упаковками и ОЦК-решеткой применяются в совре-
менных теориях строения кристаллического вещества [22].
25
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
