ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Используется подложка кремния p-типа диаметром от 60 до 250 мм. После очистки и последующего
окисления выполняется фотолитография (первое маскирование) с травлением, открывающим всю площадь
будущего элемента.
Далее осуществляется второе окисление до толщины 0,1…0,3 мкм в площади элемента. На созданном оксиде
производится вторая литография, в процессе которой над затвором оксид сохраняется, площадь над будущими
областями стока и истока от оксида освобождается.
После соответствующей подготовки производится диффузия бора, создаются тем самым области стока–
истока. Температура процесса 1000…1100 °С, в качестве источника бора может использоваться диборан В
2
Н
6
или
галогениды бора BCl
3
и BBr
3
. В случае использования галогенидов ведут окислительную диффузию для
устранения эрозии поверхности. При этом в газовую смесь добавляют кислород и на поверхности кремния
образуется слой SiO
2
B
2
O
3
. Из этого слоя и производится загонка примеси, что позволяет более точно
регулировать необходимый профиль концентрации носителей на заданной глубине.
Третья фотолитография проводится для вскрытия окон в диэлектрике над областью затвора с целью
последующего прецизионного окисления для создания диэлектрического оксидного слоя толщиной порядка
0,02 мкм.
В дальнейшем выполняется четвертая литография для вскрытия окон под омические контакты стока–истока,
производится напыление слоя алюминия по всей площади и последующая пятая литография с целью получения
топологии межэлементных соединений и контактных площадок.
Основные обрабатывающие процессы заканчиваются напылением или осаждением защитного слоя
(пассивация).
2.2.3. Технологический маршрут изготовления ИМС на биполярных и полевых структурах
Приводимая (рис. 2.2.3) последовательность выполнения ИМС наиболее рационально решает вопросы
совмещения в едином цикле биполярных и полевых транзисторов.
В качестве исходного материала (подложки) выбирается обычно низкоомный (1…3 Ом ⋅ см) кремний с
ориентацией (111), используемой чаще для биполярных транзисторов. При расчетах МДП-транзисторов в этом
случае следует использовать экспериментальные данные, поскольку приводимые в литературе данные относятся
к ориентации (100).
Элементы выполняются в карманах с диэлектрической изоляцией. Такие "карманы" выполняются в
первых группах операций, включающих окисление, фотолитографию-1 для вскрытия окон в оксиде кремния,
травление разделительных канавок глубиной 28…30 мкм.
После удаления оксидной маски в рамках третьего блока операций осуществляется ионная имплантация
сурьмы на глубину порядка 0,2…0,3 мкм для получения скрытого подколлекторного n
+
-слоя. Следом за
окислением рельефного слоя пластины производят наращивание слоя поликристаллического кремния
толщиной до 200…300 мкм (четвертая группа операций).
Шлифование пластины в дальнейшем ведется на такую глубину, чтобы образовались разделенные
диэлектриком области для будущих элементов (пятая группа операций).
При последующем окислении и фотолитографии-2 вскрываются окна в местах областей стока, истока и
базы. На этом этапе ионной имплантацией бора создают на глубину несколько десятых микрона указанные
области. Необходимость в использовании имплантации связана с тем, что при этом формируется длина канала
МДП-транзисторов и соответственно необходима более высокая точность. Шестой этап заканчивается
удалением оксидной маски.
Следующий (седьмой) блок операций включает окисление, литографию-3 для вскрытия окон под эмиттер,
ионную имплантацию примеси n-типа (фосфор). При необходимости выполнения встроенного канала в
полевых транзисторах операции повторяются, но используется примесь p-типа (бор).
На восьмом этапе выполняется подзатворный диэлектрик МДП-транзисторов, что связано с
необходимостью удаления оксида над областью канала (фотолитография-4) и прецизионным окислением
поверхности над каналом с образованием качественного слоя оксида толщиной 0,02 мкм.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
