Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Второй блок операций включает изготовление межэлементной разводки, нижних обкладок конденсаторов
и контактных площадок. На поверхность подложки напылением наносится слой алюминия с подслоем хрома.
В этом слое и формируются указанные элементы второй литографией.
Рис. 2.2.4. Технологический маршрут тонкопленочных элементов
гибридной ИМС
На третьем этапе напылением через свободную маску создается качественный диэлектрик. Применение
свободной маски оправдано тем, что в этом случае точность конфигурации не является критичной.
В противоположность этому верхние обкладки после напыления сплошного слоя алюминия выполняют
третьей фотолитографией (четвертый блок операций). Далее производится осаждение защитного слоя SiO
2
–
Al
2
O
3
в реакторах из газовой фазы (пятый этап).
На шестом этапе четвертой литографией вскрываются окна в местах контактных площадок и производится
их наращивание напылением.
2.2.5. Технологический маршрут изготовления
толстопленочных ИМС
Толстопленочная технология привлекательна с одной стороны кажущейся простотой, несложным
оборудованием и возможностью налаживания рентабельного производства для небольших партий ИМС. С
другой стороны физико-химические процессы в технологии столь сложны, трудно контролируемы, что
получение однозначных выходных параметров проблематично. Практически процесс строится таким образом,
чтобы была возможность подгонки номинальных значений элементов.
Последовательность изготовления ИМС с толстопленочными резисторами и конденсаторами для двух
несколько различающихся маршрутов (I и II) показана на рис. 2.2.5.
В качестве подложек используются керамические пластины различного состава с односторонней
полировкой – М7, 22ХС и др.
Предварительной подготовкой является изготовление трафаретов на каждый из слоев (I вариант). В
варианте II – подготовка фотошаблонов и трафаретов.
Первый блок операций (вариант I) включает нанесение пасты в соответствии с конфигурацией
проводников, нижних обкладок конденсаторов, контактных площадок. В этом же блоке операций
травление,
контактные площадк
и

Страницы