Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

производится сушка нанесенного слоя и обжиг при температурах 1100…1150 °С. Результатом будет
выполнение части металлической межэлементной разводки и контактных площадок.
Рис. 2.2.5. Технологический маршрут изготовления
толстопленочных пассивных элементов ИМС
В случае использования фотолитографии (вариант II) на поверхность подложки наносится сплошной слой
проводящей пасты с фоторезистом, сушка повышает чувствительность фоторезиста. Далее производится
экспонирование слоя через фотошаблон, при проявлении экспонированного слоя формируется топология
металлической разводки, нижних обкладок конденсаторов, контактных площадок. Окончательно свойства
проводников формируются при обжиге. Точность в этом варианте достигается более высокая.
Второй блок операций включает выполнение слоя диэлектрика для конденсаторов и может быть одинаковым
для обоих вариантов: печать через трафарет (шелкография), сушка, обжиг при 1000…1100 °С. Точность
выполнения конфигурации этого слоя существенной роли не играет и литография может не применяться.
В третьем блоке операций формируются верхние обкладки конденсаторов, точность выполнения которых
существенно влияет на выходной параметр. По варианту I они наносятся трафаретной печатью с последующей
сушкой и обжигом. Во II варианте площадь обкладки предусматривается несколько больших размеров и
дополнительно может применяться фотолитография для более точного выполнения конфигурации.
На четвертом этапе выполняются резисторы. В отличие от тонкопленочных технологий резисторы наносятся
поверх контактных площадок. Такая конструкция определяется в основном низкой температурой обжига
резистивного слоя – порядка 900 °С. В этом же блоке операций может производиться фотолитография для
увеличения точности конфигурации (II вариант). Однако в обоих случаях предусматривается подгонка
номинальных значений резисторов, выполняемая после лужения контактных площадок.
Окончательными операциями являются установка компонентов, выполнение защиты, производится также
контроль и испытание.
Приведенные выше схемы технологических процессов являются лишь общим примером. Реальный
технологический маршрут в рамках показанных технологий определяется спроектированной структурой
элементов и компонентов. Он будет отличаться в той или иной степени. Например, в случае планирования
диэлектрической изоляции биполярных структур вместо блока операций по созданию разделительной диффузии
встречно включенным p–n-переходом будет встраиваться блок операций выполнения диэлектрической изоляции
(может предусматриваться различная конструкция изоляции или тип).

Страницы