Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 33 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2.2.3. Последовательность изготовления ИМС

с биполярными и полевыми транзисторами:

1 – подложка; 2 – оксидный слой; 3 – разделительные канавки

Следующий блок операций (девятый) включает вскрытие окон под контакты ко всем областям

(фотолитография-5) и напыление сплошного слоя алюминия толщиной порядка 1,0 мкм.

Заключительный этап работы с пластиной – фотолитография-6, при этом формируется топология

межэлементных соединений и контактных площадок (десятый блок операций).

2.2.4. Технологический маршрут изготовления тонкопленочных

гибридных микросхем (ГИМС)

Технология содержит ряд операций выполнения тонкопленочных пассивных элементов (резисторы,

конденсаторы, индуктивные катушки и др.) методами нанесения материала на поверхность неактивной

подложки.

Активные составляющие выполнены в виде компонентов, изготовленных по технологии полупроводниковых

ИМС и после создания пассивной части микросхемы производится их монтаж на поверхность подложки.

Основные этапы выполнения пленочных элементов (резисторов, конденсаторов) гибридных тонкопленочных

микросхем приведены на рис. 2.2.4.

Используемые подложки – стекло, керамика, ситалл, например СТ50-1 с односторонней рабочей

поверхностью. Их очистка включает обезжиривание изопропиловым спиртом, трихлорэтиленом, промывка

деионизованной водой, сушка центрифугой.

На первом этапе выполняют пленочные резисторы. Для этого производят напыление слоя выбранного

резистивного материала с требующимся для лучшей адгезии подслоем. Далее первой литографией формируется

топология резисторов: центрифугой наносится фоторезист; после сушки поверхность экспонируется через

фотошаблон в ультрафиолетовом световом потоке; при последующей химической обработке сохраняются

участки, прикрывающие площадь с конфигурацией будущих резисторов; последующее дубление окончательно

формирует кислотостойкую маску; пленка, не закрытая маской, удаляется при травлении и тем самым

формируется топология резисторов; заканчивается этот блок операций удалением маски с поверхности тела

резисторов.