Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Ta
2
O
5
2000 23 0,02 2,0 4,0
±(2…5)
Al
2
O
3
850 10 0,007 9,0 2,5
± (1…3)
GeO (ГОСТ 19502–
74)
50…150 11…12
0,005…
0,007
1,0 3,0 –
4. Определение относительной температурной погрешности производится из выражения
γ
Ccт
= α
C
(T
max
– 20 °C), (4.2.6)
где α
С
– температурный коэффициент емкости материала диэлектрика, значения которого для интервала
температур (–60…125 °С) приведены в табл. 4.2.1.
5. Определение допустимой относительной погрешности активной площади конденсатора осуществляется
из формулы:
γ
S доп
= γ
C
– γ
C o
– γ
cт
– γ
C ст
. (4.2.7)
В случае γ
S доп
< 0 изготовление конденсатора с заданной точностью невозможно и следует выбрать другой
материал диэлектрика с меньшей температурной погрешностью.
6. Определение удельной емкости конденсатора с учетом точности изготовления:
С
0 точн
= С (γ
S доп
/ ∆L)
2
K
ф
/ (1 + K
ф
)
2
, (4.2.8)
где K
ф
= L / B.
Для обкладок квадратной формы (при K
ф
= 1)
С
0 точн
= С [γ
S доп
/(2 ∆L)]
2
. (4.2.9)
Точность изготовления линейных размеров пленочных элементов и расстояний между ними ∆l, ∆b, ∆L, ∆B
при масочном и фотолитографическом методах равна ±0,01 мм.
7. Выбор минимального значения удельной емкости конденсатора с учетом электрической прочности и
точности изготовления:
С
0
< min{C
0v
, C
0 точн
}. (4.2.10)
8. Определение коэффициента, учитывающего краевой эффект:
≤≤
≥
=
.мм 5/1;/06,0...3,1
,мм5/;1
2
00
2
0
СССС
CC
K
(4.2.11)
9. Определение площади верхней обкладки конденсатора
S
в
= С/С
0
⋅ K. (4.2.12)
В случае площади перекрытия обкладок менее 1 мм
2
необходимо взять другой диэлектрик с меньшим
значением ε, или увеличить d в пределах d
опт
, или конструировать конденсатор специальной формы.
Если площадь перекрытия обкладок более 200 мм
2
, то необходимо взять другой диэлектрик с большим
значением ε или уменьшить толщину диэлектрика в допустимых пределах.
10. Определение размеров верхней обкладки конденсатора:
– если k
ф
≠ 1
ф
SkL = ; В = L / k
ф
;
– при k
ф
= 1
SBL == . (4.2.13)

Страницы