Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

величину γ
S доп
для введения в формулу (4.2.24) следует вычислить по формуле (4.2.7).
При невыполнении одного из п. 14.1 – 14.3 необходимо выбрать другой материал диэлектрика или изменить
конструкцию конденсатора.
В случае наличия в схеме нескольких конденсаторов целесообразнее выбирать для всех один и тот же
материал диэлектрика для последующего выполнения их в едином технологическом цикле.
При наличии нескольких конденсаторов на одной подложке расчет следует начать с конденсатора,
имеющего наименьший номинал емкости.
После выбора материала диэлектрика и вычислений по формулам (4.2.4), (4.2.5), (4.2.7) – (4.2.9) можно
определить значение удельной емкости, при которой конденсатор будет занимать минимальную площадь на
подложке
С
0 min
= С
min
/ S
min
. (4.2.26)
Окончательный выбор С
0
производится по формуле
С
0
≤ min {С
0
min
, С
0v
, С
0 точн
}. (4.2.27)
Вычисление толщины диэлектриков, соответствующей удельной емкости С
0
, следует производить по
(4.2.23). Если толщина диэлектрика не выходит за пределы возможностей тонкопленочной технологии
(в пределах 0,1...1,0 мкм), то производится дальнейший расчет, если нет – выбирается другой материал
диэлектрика.
4.2.3. Толстопленочные конденсаторы
Исходные данные расчета: емкость конденсатора, С, пФ; относительная погрешность изготовления
конденсатора γ
С
, %; рабочее напряжение U
раб
, В; технологические ограничения, приведенные в разделе 5.1 (табл.
5.1.5).
Расчет конденсаторов на точность не проводится. Если точность изготовления конденсатора выше 15 %, то
необходимо предусматривать участок подгонки на верхней обкладке конденсатора.
Расчет толстопленочных конденсаторов производится в следующей последовательности.
1. Производится выбор проводящей пасты для нижней и верхней обкладок по табл. 4.1.2. Диэлектрическую
пасту, в зависимости от диапазона, выбирают по табл. 4.2.3.
2. Определяют площадь верхней обкладки конденсатора
S = C / C
0
. (4.2.28)
3. Рассчитывают геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы
.SBL == (4.2.29)
4. Вычисляют геометрические размеры нижней обкладки конденсатора
L
н
= В
н
= L + 2p, (4.2.30)
где p – перекрытие между нижней и верхней обкладками конденсатора (по таблице технологических
ограничений).
5. Определяют геометрические размеры диэлектрика
L
д
= В
д
= L
н
+ 2 f, (4.2.31)
где f – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (технологические ограничения).

Страницы