Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

4.2.3. Характеристики паст для диэлектрика конденсаторов (ПК)
и межслойного диэлектрика (ПД)
Обозначение
пасты
Толщина
пленки, мкм
Удельная
емкость С
0
,
пФ/см
2
Тангенс угла
диэлектрических
потерь на частоте
1,5 МГц, tgδ × 10
–3
Область
применения
ПК1000-30 40…60 3700 3,5
Для диэлектрика конденсаторов,
изоляции пересекающихся
проводников
ПК12 40…60 10 000 3,5 Для диэлектрика конденсатора
ПД-1 60…70 160 2
Для межслойной изоляции при
двух уровнях пленочных
элементов
ПД-2 50…60 220 3
Для межслойной изоляции при
трех (и более) уровнях пленочных
элементов
ПД-3 30…50 – 2
Для верхнего
защитного слоя
при использовании пасты ПД-1
ПД-4 30…50 – 3
Для верхнего
защитного слоя
при использовании пасты ПД-2
6. Вычисляют площадь, занимаемую конденсатором на плате:
S
д
= L
д
В
д
. (4.2.32)
В случае неприемлемости применения квадратных обкладок конденсатора принимают обкладки
прямоугольной формы. В этом случае задаются одним из размеров верхней обкладки – L или В – и определяют
второй размер, ориентируясь на необходимую общую площадь обкладки.
4.3. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ
В таких элементах один и тот же элемент является частью резистора и конденсатора, электрические
параметры которых распределены вдоль структуры. Различают два типа таких структур, обозначаемых как R–C–
NR и C–R–NC.
4.3.1. Пленочные R–C-структуры с распределенными параметрами
На рис. 4.3.1 показаны схема и структуры элементов с распределенными параметрами. Как видно из
рассмотрения структуры R–C–NR (рис. 4.3.1, а), резисторы расположены друг над другом, выполняя одновременно
роль обкладок конденсатора. Верхний резистор номиналом R имеет контакты (выводы) 1 и 2. Нижний резистор
номиналом NR имеет выводы 3 и 4 (N – коэффициент кратности в отношении номинала).
Упрощенная схема и структура C–R–NC показаны на рис. 4.3.1, б. В данном случае конденсаторы С и NC
имеют общую обкладку с выводами 1–2 в виде резистора R и обкладки 5, 6.
Различают RC-структуры с постоянными и переменными по длине конструкции погонными параметрами.
Для изменения погонных сопротивлений и емкостей меняют толщину резистивной и диэлектрической пленки и
их ширину. Предпочтительнее с точки зрения технологии варьирование ширины. Ширина меняется плавно или
ступенчато. Несколько конфигураций топологии приведены на рис. 4.3.2.
Электрические характеристики RC-структур можно определить из решений дифференциальных уравнений,
связывающих напряжения и токи в любом сечении x структуры, приведенной на рис. 4.3.2, б, при определенных
условиях на полюсах.

Страницы