Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 4.3.1. Схемы структур с распределенными параметрами
Рис. 4.3.2. Топологии пленочных элементов
с распределенными параметрами
Расчеты трехполюсных структур и получающиеся частотные характеристики приведены в [8]. Показаны также
возможности RC-структур, описываемых рациональными функциями, например нулевые фильтры.
Методика расчета RC-структур с распределенными параметрами:
− исходя из заданных амплитудно-частотной, фазочастотной характеристик или частоты, соответствующей
нулевому коэффициенту передачи избирательного фильтра, определяют необходимое произведение RC;
− базируясь на особенностях разрабатываемой схемы, выбирают значение сопротивления R резистивного
слоя;
− при выбранном R из известного произведения RC определяют емкость С (желательно обеспечить
соотношение С ≥ С
н
, где С
н
– емкость нагрузки);
− значения R, С, RC выражают через геометрические размеры структуры и параметры материалов, далее
определяют геометрические размеры RC-структуры;
− в нулевых фильтрах сопротивление дополнительного резистора выбирают исходя из определенных
заданных соотношений по таблицам.
4.4. ИНДУКТИВНЫЕ КАТУШКИ
4.4.1. Пленочные индуктивные катушки
Пленочные индуктивные катушки выполняются в виде плоских спиралей, наносимых на диэлектрическую
или ферритовую подложки. Наиболее часто используют топологию, показанную на рис. 4.2.1.
К конструктивным параметрам относятся ширина проводника (b), шаг витков (S), суммарная ширина витков
(h), внутренний (D
1
) и внешний диаметры (D
2
). Обычно D
2
< 10 мм, S ≅ 40 мкм, b ≅ 10 мкм.
NC
R
в)

Страницы