Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 70 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Величины L и B следует округлять до значений, кратных шагу координатной сетки с учетом масштаба
топологического чертежа.
11. Вычисление размеров нижней обкладки конденсатора с учетом допусков на перекрытие:
L
н
= В
н
= L + 2q. (4.2.14)
где q – размер перекрытия нижней и верхней обкладок конденсатора
(q = 0,2 мм).
12. Определение размеров диэлектрика:
L
д
= В
д
= L
н
+ 2f
′
. (4.2.15)
где f
′
– размер перекрытия нижней обкладки и диэлектрика (f
′
= 0,1 мм).
13. Определение площади, занимаемой конденсатором:
S
д
= L
д
B
д
. (4.2.16)
Форма обкладок конденсатора выбирается на этапе разработки эскиза топологии. Сначала проектируются
обкладки конденсатора квадратной формы, а при отсутствии места на чертеже топологии для расположения
квадрата следует задаться одной из сторон конденсатора, коэффициентом формы обкладок и вычислить размеры
обкладок прямоугольной формы.
Для контроля емкости в процессе или после изготовления микросхемы конденсатор проектируют со
специальными контактными площадками.
14. Конденсатор спроектирован правильно при выполнении приведенных ниже условий.
14.1. Рабочий тангенс угла диэлектрических потерь не превышает заданного:
tgδ
раб
≤ tgδ, (4.2.17)
где
tgδ
раб
= tgδ
д
+ tgδ
об
. (4.2.18)
Значение тангенса угла потерь диэлектрика tgδ
д
следует определить по табл. 4.2.1 или в [3] для выбранного
материала диэлектрика.
Тангенс угла потерь в обкладках tgδ
об
следует вычислять по формуле
tgδ
об
≈ (4π / 3) f
max
R
об
С, (4.2.19)
где R
об
– сопротивление обкладок конденсатора, Ом; С – емкость конденсатора, Ф; f
max
– максимальная рабочая
частота, Гц.
Сопротивление обкладок конденсатора зависит от его формы и рассчитывается по формуле
R
об
= ρ
S об
k
ф
, (4.2.20)
где ρ
S об
– удельное поверхностное сопротивление материала обкладок, определяемое по табл. 4.2.2
14.2. Рабочая напряженность электрического поля E
раб
не превышает E
пр
материала диэлектрика:
E
раб
≤ E
пр
, (4.2.21)
где
Е
раб
= U
раб
/ d, (4.2.22)
d = 0,0885 ε / С
0
. (4.2.23)
14.3. Погрешность активной площади конденсатора не превышает допустимую:
γ
S раб
≤ γ
S доп
, (4.2.24)
где γ
S раб
вычисляется по формуле
;
1
ф
ф
SK
K
S
+
∆=γ (4.2.25)

Страницы