Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 81 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

5.1.1. Конструктивно-технологические ограничения в ИМС на БТ
№
п/п
Эскизы элементов топологии
Наименование элемента топологии,
наименование и обозначение размера
Величина
ограничения, мкм
1. Ширина линии скрайбирования 60
2.
Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации
или до края диффузионной области
50...100
3.
Размер контактных площадок для термокомпрессионной приварки
проводников d
1
100 × 100
4.
Расстояние между контактными площадками d
2
70
5. Размер контактов тестовых элементов рабочей схемы
50 × 50
6. Ширина проводника d
3
:
при длине ≤ 50 мкм
при длине ≥ 50 мкм
4
6
7. Расстояние между проводниками d
4
:
при длине ≤ 50 мм
при длине ≤50 мм
3
4
8. Ширина области разделительной диффузии d
5
4
9. Расстояние от базы до области разделительной диффузии d
6
10
10.
Расстояние между краем области подлегирования
коллекторного контакта и краем разделительной области d
7
10
11.
Расстояние между краем разделительной области и краем скрытого n
+
-
слоя d
8
10
12.
Расстояние между краем контактного окна в оксиде
к коллектору и краем базы d
9
7
13. Расстояние между краем контактного окна в оксиде
к базе и краем базы d
10
3
14. Расстояние между эмиттерной и базовой областями d
11
3
15. Расстояние между краем контактного окна в оксиде
к эмиттеру и краем эмиттера d
12
3
16. Расстояние между контактным окном к базе и эмиттером d
13
4
17. Расстояние между базовыми областями,
сформированными в одном коллекторе 9
18. Расстояние между эмиттерными областями,
сформированными в одной базе 6
19. Расстояние между контактным окном к коллектору и
областью разделительной диффузии d
14
10
20. Размеры контактного окна к базе d
15
4 × 6
21. Размеры контактного окна к эмиттеру d
16
4 × 4 или 3 × 5
22. Ширина области подлегирования n
+
-слоя в коллекторе d
17
8
23.
Ширина контактного окна к коллектору d
18
4
24. Ширина резистора d
19
5
25. Размеры окна вскрытия в оксиде
2,5 × 2,5
26.
Перекрытие металлизацией контактных окон в оксиде
к элементам ИМС d
20
2
27.
Расстояние от края контактного окна к p
+
-разделительным
областям для подачи смещения до края области разделения d
21
6
28.
Расстояние от края контактного окна к изолированным
областям n-типа для подачи смещения до края области
разделения d
22
6
29. Ширина диффузионной перемычки 3
30. Размер окна в пассивирующем оксиде d
23
100 × 100
31. Расстояние от края окна в пассивации до края контактной площадки d
24
6
32. Расстояние между соседними резисторами d
25
7
33. Расстояние между диффузионными и ионно-легированными резисторами 4
34.
Расстояние между контактной площадкой и проводящей
дорожкой d
26
20
35. Ширина скрытого n
+
-слоя 4
36.
Расстояние между контактными площадками тестовых элементов 40

Страницы