Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 83 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 5.1.2. Электрическая принципиальная схема усилителя (140УД6)
Полупроводниковые ИМС на МДП-транзисторах. На этапе расчетов электрических параметров,
геометрических размеров МДП-тран-зисторов и элементов на их базе конструктор встречается с рядом
противоречивых требований, решение которых невозможно без компромиссов. В частности, увеличение
выходных параметров по мощности и уменьшение размеров, увеличение степени интеграции и др.
Требование уменьшения площади, занимаемой микросхемой в целом, приводит к разработке кристалла
минимально возможной площади. Поскольку каждая технология имеет свой определенный предел по величине
выполняемых элементов и их точности, то следует ориентироваться на полученные опытом ограничения.
Конструктивно-технологические ограничения на размеры МДП-структур и их взаимное расположение приведены в
табл. 5.1.2 для трех различающихся технологий.
5.1.2. Технологические ограничения на размеры МДП-структур
Вид технологии
Топологический эскиз
Наименование элемента топологии,
наименование и обозначение размера
p-МДП n-МДП КМДП
Толщина затворного диэлектрика
(SiO
2
) h
д
, мкм
0,07...
0,10
0,07...
0,10
≥ 0,1
Толщина толстого диэлектрика (SiO
2
)
h
т. д
, мкм
1,0 1,0 1,0
Толщина металлизации (алюминия)
h
м
, мкм
1,2 1,2 1,2
Толщина кремниевого затвора h
п. к. з
,
мкм
– 0,5 0,5
Толщина межслойной изоляции (ФСС)
h
м. и
, мкм
– 1,0 1,0
Толщина пассивирующего слоя (ФСС)
h
п. с
, мкм
1,0 1,0 1,0
Толщина стоков, истоков,
диффузионных проводников h
j
, мкм
1,5 1,0
1,0(n
+
)
1,5(p
+
)
Толщина p-областей для
формирования
n-канальных транзисторов КМДП-
ИМС h
i
, мкм
– – 6,0...7,0

Страницы