Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 82 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 5.1.1. Топология кристалла полупроводниковой микросхемы:

1 – 7 – контактные площадки и внешние выводы; а – диод; б, в – транзисторы; г – конденсатор; д – знаки совмещения; е –

технологический транзистор-свидетель; ж – диффузионные полосковые резисторы

Представление о взаимном расположении изолированных зон, топологических элементов в интегральной

схеме дает микрофотография кристалла с общим видом топологии усилителя широкополосного 140УД6,

представленная на рис. 5.1.1.

Размер кристалла 900 × 1000 мкм; цифрами 1 – 7 обозначены периферийные контактные площадки, с которых

идет разводка на внешние выводы. На периферии располагаются также элементы, необходимые для решения

технологических задач. К ним относятся группа знаков совмещения, изображенная на рис. 5.1.1, д); в этой же

области располагаются элементы-свидетели, например транзистор, показанный на рис. 5.1.1, е); элементы

информационного характера – маркировка кристалла – 140УД6.

На поле кристалла просматриваются несколько изолированных зон. Более темная составляющая представляет

собой изолирующую зону. Более светлое поле – изолированные области, в которых и располагаются активные и

пассивные элементы. В качестве примера в выноске а) выделен вертикальный биполярный транзистор; в выноске б)

– горизонтальный транзистор; диод представлен фрагментом в); резисторы – ж); конденсатор показан на выноске

г).

Кроме того, имеет смысл идентифицировать все элементы на электрической схеме (рис. 5.1.2) с их реальной

топологией и положением на кристалле.

в)

г)

900

1000

б)

д)

ж)

е)