Составители:
Рубрика:
8
Q = - λ(dT/dx)S,
где λ - теплопроводность, dT/dx – градиент температуры
λ = v
Ф
l C
v
/3,
где v
ф
–групповая скорость фононов, l – средняя длина свободного
пробега фононов между двумя последовательными столкновениями,
C
v
–теплоемкость единицы объема.
7. Молярная теплоемкость кристаллической решетки при
температуре T<< Θ:
C
µ
= 12π
4
R (T/Θ)
3
/5 = 234R(T/Θ)
3
.
3. Электронный газ в металлах.
1. Концентрация электронов, dn(ε), энергия которых заключена в
интервале значений от ε до ε + d ε :
dn(ε) = (2m*)
3/2
(2π
2
h
3
)
-1
ε
1/2
(e
(ε − µ)/κΤ
+ 1)
−1
где m* и ε - эффективная масса и энергия электрона, µ - энергия
Ферми.
2. При Т = 0
µ = (
h
2
/2m*) (3π
2
n)
2/3
3. Средняя энергия электронов при Т = 0:
<ε> = 3/5 µ
4. Температура Ферми
T
F
= µ/k.
5. Температура вырождения
Т
в
= 4/(9π)
1/3
T
F
= 1,313 T
F.
4. Собственные и примесные полупроводники.
1. Собственные полупроводники.
1.Концентрация электронов в зоне проводимости.
n = 2(2πm
n
kT)
3/2
h
-3
exp[-(E
c
−µ)/(κΤ)] = Ν
c
exp[(µ − Ε
c
)/kT],
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
