Физика твердого тела. Шерстюк А.И - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

10
где: n
n
– концентрация электронов в зоне проводимости
электронного полупроводника;
p
n –
концентрация дырок в валентной зоне электронного
полупроводника;
n
Д
– концентрация электронов, перешедших с донорных уровней в
зону проводимости.
7.Уравнение электронейтральности для дырочного (акцепторного)
полупроводника:
p
p
= n
p
+ p
A
,
где: р
р
- концентрация дырок в валентной зоне дырочного
полупроводника;
n
p
– концентрация электронов в зоне проводимости дырочного
полупроводника;
р
А
– концентрация дырок, перешедших с акцепторных уровней у
валентную зону.
В случае, когда все примеси ионизованы, n
Д
~ N
Д
(или n
A
~ N
A
), где
N
Д
и N
A
– концентрация атомов, доноров и акцепторов,
соответственно.
8. Закон действующих масс:
Произведение концентраций электронов и дырок в
полупроводнике не зависит от его легирования, а зависит только от
температуры и равно квадрату концентраций носителей в
собственном полупроводнике:
n p = n
i
2
(T).
9. Электропроводность электронного (донорного) полупроводника:
σ = σ
0
exp[-∆E/(2kT)] + σ
0n
exp[-Е
Д
/(2kT)]
где σ
οn
= enu
n
– энергия активации донорных примесей.
10. Электропроводность дырочного (акцепторного)
полупроводника:
σ = σ
0
exp[-∆E/(2kT)] + σ
0p
exp[-E
A
/(kT)],
где σ
0p
= epu
p
; Е
– энергия активации акцепторных уровней.
5. P-n – переход.
Сила прямого тока в p-n – переходе:

Страницы