Физика твердого тела. Шерстюк А.И - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

11
J = J
s
[exp(eU/kT) – 1],
где U – внешнее напряжение, приложенное к p-n – переходу в
прямом направлении ((+) к р области, (-) к n – области);
J
s
– предельное значение обратного тока (ток насыщения). Сила
обратного тока: J = - J
s.
J
s
~
n
i
2
~
[-∆E/(kT)].
6. Диффузия носителей тока.
1.Коэффициенты диффузии электронов D
n
и дырок D
p
D
n
= kTu
n
/e; D
p
= kTu
p
/e,
где е = 1,6 10
-19
Кл – заряд электрона,
u
n
и u
p -
- подвижность электронов и дырок соответственно.
2.Коэффициент амбиполярной диффузии :
D
эфф
= (n + p)/(n/D
p
+ p/D
n
),
где n и р – концентрация электронов и дырок соответственно.
Для собственного полупроводника (n=p):
D
эфф
= 2D
n
D
p
/(D
n
+ D
p
)
3.Диффузионная длина L:
L = (D
эфф
τ)
1/2
,
где τ - время жизни неравновесных носителей тока.
4.Концентрация неравновесных носителей тока:
∆n(x) = ∆n(0) e
-x/L
,
где ∆n(0) – концентрация неравновесных носителей тока в месте их
образования, например, на поверхности освещенного
полупроводника; х – координата (расстояние от освещенной
поверхности полупроводника);L – диффузионная длина.
7. Эффект Холла.
1. При не слишком сильных магнитных полях холловская разность
потенциалов U
H
пропорциональна магнитной индукции поля В,
силе тока I и обратно пропорциональна толщине пластины b:
U
H
= R
H
B I/b = R
H
Bja, (1)

Страницы