Составители:
Рубрика:
12
где j – плотность тока в образце; а – ширина образца; R
H
–
постоянная Холла, зависящая от материала образца.
2. Для полупроводников со смешанной проводимостью, у которых
концентрации электронов и дырок сравнимы друг с другом,
постоянная Холла вычисляется из следующего соотношения:
R
H
= 3π (pu
p
2
– nu
n
2
)/[8e(pu
p
+ nu
n
)
2
], (2)
где n и р – концентрации электронов и дырок, соответственно;
u
n
и
u
p
– подвижности электронов и дырок соответственно.
а) Для полупроводников р – типа выражение для R
H
примет вид:
R
H
= 3π/(8ep);
б) Для полупроводников n – типа (при n>>p):
R
H
= 3π/(8en);
в) Для собственных полупроводников, в которых n=p=n
i
, выражение
(2) принимает вид:
R
H
= 3π(u
p
– u
n
)/[8en
i
(u
p
+ u
n
)].
3. Примеры решения задач.
Пример 1: Определить параметр решетки и плотность кристалла
кальция, если расстояние между ближайшими соседними атомами
равно 0,393 нм. Решетка кубическая, гранецентрированная.
Дано:
N
A
= 6,02 10
23
моль
-1
µ = 40 10
−3
кг/моль
d = 0,393 10
-9
м
n = 4
_________________
a =? ρ = ?
Решение.
Параметр а решетки и расстояние d между двумя ближайшими
соседними атомами связаны соотношением:
а = d√2
Подставляя в это выражение численные значения, получим:
а = 5,56 10
-10
м
Плотность кристалла:
ρ = µn/(N
A
a
3
) = 1,55 10
3
кг м
-3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »