Составители:
27
мощности в нагрузке Р
н.имп
соответствует значению γ = 0,5 и могут
быть приближенно вычислены [2]:
ИП
н
н.имп
н
∆α ;
8( )
U
R
i
fT
=⋅
2
нmax
н.имп
н
α,
192( )
P
P
fT
=
где T
н
= L
н
/R
н
; f – частота переключений в нагрузке; α – коэффициент,
зависящий от вида коммутации. Так при несимметричной и поочеред-
ной коммутации α = 1, а при симметричной и диагональной – α = 2.
Здесь L
н
, R
н
– индуктивность и активное сопротивление нагрузки.
Потери в транзисторах усилителя мощности и ШИМ
фф нвыкл
УМ имп к.имп ИП н
2
,
2
tt qt
РmРUI f
+−
++
==
где
+–
фф
,
tt
– длительности фронтов нарастания и уменьшения тока тран-
зистора в процессе коммутации; q
н
– коэффициент насыщения транзис-
тора; t
выкл
– время выключения диода, шунтирующего транзистор (или
нагрузку); m – число одновременно переключаемых транзисторов
(m = 2 при несимметричной, диагональной и поочередной коммута-
ции; m = 4 при симметричной коммутации).
Время выключения диода должно быть меньше времени заднего
фронта:
ф
выкл
н
.
t
t
q
−
<
Частота коммутации ключей может быть выбрана из условий ограни-
чения либо P
н.имп
, либо ∆i
н.имп
, либо из условии минимизации суммар-
ных импульсных потерь усилителя и нагрузки P
имп
= P
н.имп
+ P
УМ имп
.
В последнем случае частота коммутации может быть определена сле-
дующем образом:
2
ИП н н
3
опт
н
фф нвыкл н
1 α/()
.
48 ( 2 )/
UIR
f
T
mt t qt T
+−
=
++
Длительность фронтов
+–
фф
,tt
; задержка на включение транзистора
t
з
и время рассасывания при включении t
p
определяется по формулам:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
