Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 139 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

139
Типы фотошаблонов, изготавливаемые для производства внутренних
слоев ПП методом ПАФОС
№ слоя
ПП
Наименование слоя
ПП
Тип фотооригинала
Тип рабочего ФШ
3 Внутренний Зеркальный,
негативный
Прямой, позитивный
*
*
-//- -//- -//-
12 Резист-защита
нижнего наружного
слоя
Прямой, негативный
Зеркальный,
позитивный
Приложение 4. Изучаемые ИМС. Описание, электрические
схемы
Описание изучаемых ИМС
Обозначение
Технология
изготовления
Выполняемая
функция
Кол-во
элеме-
нтов
Размеры
корпуса,
a×b×c, (мм)
133ЛА3
Планарно-
эпитаксиальная
4 элемента 2И-НЕ
56
6,5 × 9,8 × 2,3
132РУ6 n-МДП Оперативное ЗУ на
16 Кбит
122802
13 × 12 × 2,5
134ЛА2
134ЛА8
134КП9
134ТМ2
Планарно-
эпитаксиальная
Элемент 8И-НЕ
4 элемента 2И-НЕ
Сдвоенный коммутатор
на 4 канала
Д – триггер
9
24
56
28
6,5 × 9,8 × 2,3
140УД6
140УД8
Планарно-
эпитаксиальная
Операционный
усилитель
64
43
∅ 9,5 × 4,6
∅ 9,5 × 4,6
142ЕН5 Планарно-
эпитаксиальная
Стабилизатор
напряжения 5В
39
9 × 25 × 3
564КТ3
564ЛЕ5
564ЛЕ10
564ТЛ1
564РУ2
КМДП
4 двунаправленных
ключа
4 элемента 2ИЛИ-НЕ
3 элемента 3ИЛИ-НЕ
4 триггера Шмитта
Оперативное ЗУ на 1
Кбит
52
48
54
88
2067
6,5 × 10 × 2
9,4 ×12 × 2,5
К590КН8
К590КН9
n-ДМДП
КМДП
4 ключа
без управления
2 ключа
с управлением
8
62
9,4 × 12 × 2,5 
      Типы фотошаблонов, изготавливаемые для производства внутренних
                         слоев ПП методом ПАФОС
    № слоя Наименование слоя Тип фотооригинала Тип рабочего ФШ
     ПП             ПП
  3        Внутренний            Зеркальный,        Прямой, позитивный
                                 негативный
  *                 -//-                 -//-               -//-
  *
  12       Резист-защита         Прямой, негативный Зеркальный,
           нижнего наружного                        позитивный
           слоя

Приложение 4. Изучаемые ИМС. Описание, электрические
                      схемы
                           Описание изучаемых ИМС
Обозначение    Технология      Выполняемая      Кол-во        Размеры
              изготовления        функция       элеме-        корпуса,
                                                 нтов        a×b×c, (мм)
  133ЛА3        Планарно-        4 элемента 2И-НЕ     56
              эпитаксиальная                                 6,5 × 9,8 × 2,3

  132РУ6         n-МДП           Оперативное ЗУ на  122802   13 × 12 × 2,5
                                       16 Кбит
  134ЛА2                           Элемент 8И-НЕ       9
  134ЛА8        Планарно-         4 элемента 2И-НЕ    24
  134КП9      эпитаксиальная   Сдвоенный коммутатор   56     6,5 × 9,8 × 2,3
                                      на 4 канала
  134ТМ2                              Д – триггер     28
  140УД6        Планарно-          Операционный       64      ∅ 9,5 × 4,6
  140УД8      эпитаксиальная          усилитель       43      ∅ 9,5 × 4,6
  142ЕН5        Планарно-           Стабилизатор      39      9 × 25 × 3
              эпитаксиальная       напряжения 5В
  564КТ3                         4 двунаправленных    52
                                        ключа
  564ЛЕ5                        4 элемента 2ИЛИ-НЕ    48      6,5 × 10 × 2
  564ЛЕ10        КМДП           3 элемента 3ИЛИ-НЕ    54
   564ТЛ1                        4 триггера Шмитта    88
   564РУ2                       Оперативное ЗУ на 1  2067    9,4 ×12 × 2,5
                                         Кбит
 К590КН8         n-ДМДП                4 ключа         8
                                    без управления           9,4 × 12 × 2,5
 К590КН9         КМДП                  2 ключа        62
                                    с управлением




                                     139

Страницы