Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

39
Подгонка пленочных конденсаторов осуществляется надрезанием верхней
обкладки лучом лазера.
В полупроводниковых ИМС различают две разновидности конденсаторов:
• МДП – конденсатор и
• диффузионный конденсатор.
Конструкция МДП - конденсатора приведена на рис. 2. Нижняя обкладка
такого конденсатора образована n
+
- эмиттерным слоем, диэлектриком является
окись кремния, а верхняя обкладка алюминиевая. Отсюда следует, что МДП –
конденсатор полностью совместим с технологией производства
полупроводниковых ИМС и не требует дополнительных технологических
операций.
Для получения больших удельных емкостей необходимо применять тонкий
диэлектрик, однако это приводит к уменьшению пробивного напряжения такого
конденсатора.
Для формирования диффузионных конденсаторов используются барьерные
емкости обратно смещенных p-n-переходов: эмиттер-база, база-коллектор и
коллектор-пластина. Конструкция диффузионного конденсатора совпадает с
конструкцией транзистора и отличается числом выводов, которых по числу
обкладок будет два. Использование данных конденсаторов имеет особенность: p-n-
переход, используемый в качестве конденсатора должен быть во всех режимах
работы смещен в обратном направлении.
В табл. 2 приведены параметры конденсаторов различных конструкций.
Таблица 2
Параметры интегральных конденсаторов
Тип конденсатора Удельная
емкость
С
0
, пФ/мм
2
Пробивное
напряжение
U
пр
, В
Добротность
Q, отн. ед.
Допуск,
δ, %
МДП с диэлектриком:
SiO
2
Si
3
N
4
Диффузионный на p-n-
переходах:
Б - К
Э - Б
К - П
200÷600
800÷1600
150
600
100
30÷50
50
25÷80
20÷1100
50÷100
5÷20
—
± 20
± 20
± 15-20
± 20
± 15-20
      Подгонка пленочных конденсаторов осуществляется надрезанием верхней
обкладки лучом лазера.

   В полупроводниковых ИМС различают две разновидности конденсаторов:
   • МДП – конденсатор и
   • диффузионный конденсатор.

      Конструкция МДП - конденсатора приведена на рис. 2. Нижняя обкладка
такого конденсатора образована n+ - эмиттерным слоем, диэлектриком является
окись кремния, а верхняя обкладка алюминиевая. Отсюда следует, что МДП –
конденсатор     полностью     совместим     с    технологией     производства
полупроводниковых ИМС и не требует дополнительных технологических
операций.
      Для получения больших удельных емкостей необходимо применять тонкий
диэлектрик, однако это приводит к уменьшению пробивного напряжения такого
конденсатора.
      Для формирования диффузионных конденсаторов используются барьерные
емкости обратно смещенных p-n-переходов: эмиттер-база, база-коллектор и
коллектор-пластина. Конструкция диффузионного конденсатора совпадает с
конструкцией транзистора и отличается числом выводов, которых по числу
обкладок будет два. Использование данных конденсаторов имеет особенность: p-n-
переход, используемый в качестве конденсатора должен быть во всех режимах
работы смещен в обратном направлении.

     В табл. 2 приведены параметры конденсаторов различных конструкций.

                                                                    Таблица 2
                       Параметры интегральных конденсаторов

    Тип конденсатора        Удельная Пробивное Добротность Допуск,
                             емкость    напряжение Q, отн. ед. δ, %
                                      2
                            С0, пФ/мм      Uпр, В
МДП с диэлектриком:
      SiO2                    200÷600        30÷50       25÷80       ± 20
      Si3N4                  800÷1600          50       20÷1100      ± 20
Диффузионный на p-n-
переходах:
      Б-К                       150                      50÷100     ± 15-20
      Э-Б                       600                       5÷20       ± 20
      К-П                       100                        —        ± 15-20




                                        39

Страницы