Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

38
Введем это понятие. Итак, сопротивление резистора связано с удельным объемным
сопротивлением ρ
v
следующим образом:
b
h
l
R
V
⋅
= ρ , где
R - сопротивление резистора, Ом; ρ
v
- удельное объемное сопротивление, Ом·см; l-
длина, h - толщина, b - ширина резистора, см.
Обозначим через К
ф
- коэффициент формы резистора:
b
l
K
ф
=
. Тогда
сопротивление резистора в общем виде можно записать следующим образом:
h
K
R
ф
V
ρ= , а сопротивление резистора квадратной формы (l=b) и толщиной h
будет равно:
h
R
V
ρ
= =ρ
o
, Ом/o,
где ρ
o
- поверхностное сопротивление квадратного резистора определенной
толщины пленки.
В таком случае сопротивление любого пленочного резистора (при условии
постоянства его толщины может быть рассчитано следующим образом:
R=ρ
o
·K
ф
, Ом.
Сопротивление резистора определяется материалом пленки, его толщиной,
коэффициентом формы и не зависит от размеров квадрата. Поэтому на практике
часто для определения сопротивления пленочного резистора выделяют на его
топологии квадрат и считают полное количество таких квадратов, убирающихся в
направлении его длины. Результирующая величина сопротивления будет равна
произведению сопротивления квадрата на количество таких квадратов.
Конденсаторы.
Конструкции пленочных конденсаторов ГИС приведены на рис. 2.
Для устранения погрешности совмещения служит компенсатор, который
располагают против вывода верхней обкладки. При смещении верхней обкладки в
направлении стрелки А площадь перекрытия под пленочным проводником
(показана мелкой штриховкой) увеличится, а под компенсатором - настолько же
уменьшится. В результате общая площадь перекрытия, а следовательно, и емкость
конденсатора останутся без изменений. При смещении верхней обкладки в
направлении, противоположном стрелке А, емкость также останется без
изменений. При большой площади верхней обкладки эта погрешность мала и
компенсатор не применяют.
На рис. 2 приведена конструкция конденсатора с площадью обкладки менее
1 мм
2
. Емкость такого конденсатора определяется площадью перекрытия обкладок,
смещение которых не влияет на его емкость.
В гребенчатых конденсаторах емкость определяется диэлектрическим
зазором между зубьями гребенок (рис.2). Гребенчатые конденсаторы имеют малую
емкость.
Конструкции подстроечных конденсаторов также представлены на рис.2.
Подстройка таких конденсаторов аналогична подстройке резисторов (см. рис. 1). 
Введем это понятие. Итак, сопротивление резистора связано с удельным объемным
сопротивлением ρv следующим образом:
                                             l
                                  R = ρV        , где
                                           h ⋅b
R - сопротивление резистора, Ом; ρv - удельное объемное сопротивление, Ом·см; l-
длина, h - толщина, b - ширина резистора, см.
      Обозначим через Кф - коэффициент формы резистора: K ф = l . Тогда
                                                                      b
сопротивление резистора в общем виде можно записать следующим образом:
         Kф
R = ρV        , а сопротивление резистора квадратной формы (l=b) и толщиной h
         h
будет равно:
                                      ρV
                                 R=      =ρo, Ом/o,
                                       h
где ρo - поверхностное сопротивление квадратного резистора определенной
толщины пленки.
      В таком случае сопротивление любого пленочного резистора (при условии
постоянства его толщины может быть рассчитано следующим образом:
                                R=ρo·Kф, Ом.
      Сопротивление резистора определяется материалом пленки, его толщиной,
коэффициентом формы и не зависит от размеров квадрата. Поэтому на практике
часто для определения сопротивления пленочного резистора выделяют на его
топологии квадрат и считают полное количество таких квадратов, убирающихся в
направлении его длины. Результирующая величина сопротивления будет равна
произведению сопротивления квадрата на количество таких квадратов.

      Конденсаторы.
      Конструкции пленочных конденсаторов ГИС приведены на рис. 2.
      Для устранения погрешности совмещения служит компенсатор, который
располагают против вывода верхней обкладки. При смещении верхней обкладки в
направлении стрелки А площадь перекрытия под пленочным проводником
(показана мелкой штриховкой) увеличится, а под компенсатором - настолько же
уменьшится. В результате общая площадь перекрытия, а следовательно, и емкость
конденсатора останутся без изменений. При смещении верхней обкладки в
направлении, противоположном стрелке А, емкость также останется без
изменений. При большой площади верхней обкладки эта погрешность мала и
компенсатор не применяют.
      На рис. 2 приведена конструкция конденсатора с площадью обкладки менее
1 мм2. Емкость такого конденсатора определяется площадью перекрытия обкладок,
смещение которых не влияет на его емкость.
      В гребенчатых конденсаторах емкость определяется диэлектрическим
зазором между зубьями гребенок (рис.2). Гребенчатые конденсаторы имеют малую
емкость.

     Конструкции подстроечных конденсаторов также представлены на рис.2.
Подстройка таких конденсаторов аналогична подстройке резисторов (см. рис. 1).

                                           38

Страницы