ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
109
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Автолегирование 21
Анизотропия травления 70
Вжигание паст 92
Газовый разряд 81
Гетероэпитаксия 16, 23
Глубина залегания p-n-перехода 38, 43
Голографическая литография 63
Гомоэпитаксия 16
Графоэпитаксия 47
Давление насыщенного пара 73
Дефекты радиационные 39, 48
Диаграмма состояния 101
− системы Au − Si 103
− системы Pb − Sn 103
− системы Si – Ge 102
Диффузия 32
− внедрения 33
− замещения 32
− из неограниченного источника 36
− из ограниченного источника 37
− лазерно-стимулированная 47
− радиационно-стимулированная 50
Длина пробега ионов 41
Доза легирования 37, 43
Законы Фика 26, 34
Зародыша критический размер 19, 78
Излучение рентгеновское 57
− синхротронное 57
Интерметаллид 104
Ионная имплантация 39
Ионно-лучевая литография 61
Кислотостойкость фоторезистов 55
Конденсация вещества 78
Контакт омический 97
Коэффициент диффузии 34
− распыления 81
− сегрегации примеси 14
Кремний 12
− монокристаллический 13
− поликристаллический 12, 98
− технический 12
Легирование кремния ядерное 44
Ликвидус 101
Магнитный сепаратор 40
Металлизация 11, 96
Метод бестигельной плавки 15
− силановый 22
− хлоридный 21
− Чохральского 13
Механизмы диффузии 32
Микросхема интегральная 6
− гибридная толстопленочная 7, 89
− гибридная тонкопленочная 7
− пленочная 7
− полупроводниковая 6
− совмещенная 7
Модель Дила-Гроува 25
− процесса диффузии 32
Напыление термовакуумное 72
Нитрид кремния 30
Окисление термическое 25
Оксид алюминия 31
Отжиг лазерный 46
− термический 46
Пасты 90
− диэлектрические 91
− проводниковые 91
− резистивные 91
Пиролиз тетраэтоксилана 30
Подгонка параметров элементов 94
Правила Юма-Розери 102
Предельная растворимость 103
Примесей загонка 36
− разгонка 37
Профиль распределения примесей 36, 38
Пурпурная чума 104
Распыление высокочастотное 86
− катодное 80
− магнетронное 88
− реактивное 87
Рентгенолитография 56
Рентгеношаблон 58
Сапфир 24, 48
Свободная энергия 18
Селективность травления 70
