Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 110 стр.

UptoLike

Составители: 

110
Скорость диффузии 38
испарения молекул 73
окисления кремния 28
роста эпитаксиального слоя 21
травления 66, 70
Слой скрытый 8
Солидус 101
Сольвус 101
Структура КНД 17
КНС 17, 24
МДП-транзистора 6
эпитаксиально-планарного
транзистора 9
Теория Линдхарда-Шарфа-Шиотта 41
Технология гибридная 7, 89
полупроводниковая 6
Тормозная способность 42
электронная 42
ядерная 42
Травители полирующие 66
селективные 67
Травление 64
жидкостное 64
ионное 68
ионно-химическое 69
плазмо-химическое 68
Транзистор биполярный 6
полевой 98
с диодом Шоттки 97
эпитакисиально-планарный 9
Трехэлектродная система 88
Уравнение Герца-Кнудсена 73
Ленгмюра 74
Клаузиуса-Клапейрона 74
Фотолитография 51
Фоторезист 51
негативный 54
позитивный 54
Фоторезиста задубливание 53
кислотостойкость 55
нанесение на подложку 52
проявление 53
разрешающая способность 55
светочувствительность 55
сушка 52
экспонирование 52
Фотохимические реакции 54
Хемоэпитаксия 16
Химическое осаждение SiO
2
30
Эвтектика 101
Электромиграция ионов 98
Электронолитография 58
проекционная 60
сканирующая 59
Электроэпитаксия 20
Энергия активации диффузии 32
химической реакции 67
Эпитаксия 16
газофазная 20
жидкофазная 20
молекулярно-лучевая 22
парофазная 18
твердофазная 20
Эффект каналирования 44
Явление сегрегации примесей 13