Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 37 стр.

UptoLike

Составители: 

37
Подставив
(3.20)
в
(3.22),
можно
вначале
определить
j(0, t) ,
а
затем
с
помощью
(3.21)
и
дозу
легирования
Q.
Проведя
данные
преобразования
,
можно
получить
2.
Диффузия из ограниченного источника.
Граничные
условия
в
этом
слу
-
чае
имеют
вид
Граничные
условия
(3.23)
означают
,
что
неизменным
остается
общее
ко
-
личество
примесных
атомов
,
введенных
в
пластину
на
предыдущей
стадии
.
Этот
случай
соответствует
второй
стадии
технологического
процесса
разгон
-
ке
примеси
,
которую
проводят
при
более
высокой
температуре
,
чем
загонку
.
Цель
этой
операции
сформировать
нужный
профиль
распределения
примес
-
ных
атомов
по
глубине
и
,
тем
самым
,
обеспечить
нужную
глубину
залегания
р-
п-
перехода
.
Решением
уравнения
диффузии
(3.18)
с
учетом
граничных
условий
(3.23)
будет
функция
Гаусса
График
распределения
примесных
атомов
по
глубине
в
различные
мо
-
менты
времени
представлен
на
рис
. 3.8.
Се
-
рым
цветом
показан
приповерхностный
слой
пластины
,
куда
с
помощью
загонки
было
внедрено
определенное
количество
примесных
атомов
.
Здесь
же
пунктиром
по
-
казана
исходная
концентрация
примесных
атомов
,
которыми
пластина
была
легирова
-
на
ранее
,
а
также
глубина
залегания
р-п-
перехода
.
Предполагается
,
что
тип
примес
-
ных
атомов
,
присутствующих
в
пластине
ранее
и
вводимых
в
настоящее
время
,
раз
-
личен
,
то
есть
были
доноры
,
а
вводятся
ак
-
цепторы
и
наоборот
.
Глубину
залегания
р-п-
перехода
можно
рассчитать
аналитически
,
если
известны
доза
легирования
Q
и
исходная
концентрация
примеси
С
исх
:
. Dt
n
1,13C
π
Dt
n
2CQ =
(3.23)
0
0.t),C( const;Qt)dxC(x,
===
.
4Dt
2
x-
e
π
Dt
Q
t)C(x, =
Рис.
3.8. Распределение примеси по
глубине (ограниченный источник)
,
исх
C
0
C
lntD2
np
x =