Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 24 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

и около 2 мкм при использовании двух линз. При использовании специ-

альных катодов и точной юстировки диаметр пучка может достигать

0,1 мкм.

Рис. 3.1. Схема просвечивающего электронного микроскопа (а) и ход лучей

в микроскопе (б)

За образцом находится система объективных линз, которая формиру-

ет первое увеличенное изображение плоскости образца, передающее его

структурные и морфологические особенности. За объективом расположена

промежуточная линза, дополнительно увеличивающая изображение образ-

ца. Проекционная линза еще раз увеличивает изображение и отображает

его на флуоресцентном экране, фотопластинке или современном устройст-

ве отображения информации, например,

ПЗС-матрице.

Степень и характер рассеяния электронов в различных точках объек-

та зависят от толщины, плотности, структуры и химического состава объ-

екта. Соответственно изменяется число электронов, прошедших через

электромагнитные линзы микроскопа, а значит и плотность потока элек-

тронов, попадающих на экран. Так возникает амплитудный контраст, ко-

торый преобразуется в световой контраст

на экране. Под экраном распола-