Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 27 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

да микронеровностей поверхности. Важной особенностью является боль-

шая глубина резкости, что позволяет «видеть» дефекты объемными.

2. Качественный и количественный химический анализ поверхности.

3. Визуальное наблюдение магнитных доменов ферромагнитных

объектов с разрешением на уровне 10 нм.

4. Распределение потенциала в поверхностных структурах инте-

гральных микросхем или полупроводниковых приборов.

5. Визуальное наблюдение электрически активных дефектов.

Определение диффузионной длины, глубины электронно-

дырочного перехода, распределение примесей и т. д.

Растровый электронный микроскоп (РЭМ) работает на принципе

сканирования остросфокусированного электронного луча по поверхности

объекта и использовании физических явлений, возникающих при взаимо-

действии электронов с объектом. Основные виды взаимодействия электро-

нов с объектом показаны на рис. 3.2. В РЭМ используются

все показанные

на рисунке виды взаимодействия, за исключением одного, который сопро-

вождается испусканием Оже-электронов. Данный вид взаимодействия ис-

пользуется в специальных приборах – Оже-спектрометрах, которые будут

рассмотрены далее.

Схема растрового электронного микроскопа, поясняющая его прин-

цип действия, представлена на рис. 3.3. В основу работы положен телеви-

зионный принцип развертки, при котором сфокусированный луч электро-

нов, ускоренных напряжением 5…50 кэВ, перемещается по поверхности

образца «строчка за строчкой». Управляют такой разверткой сканирующие

электромагнитные линзы, через которые от блока развертки протекает пи-

лообразно изменяющийся ток.

Рис. 3.2. Основные виды взаимодействия электронов с объектом