Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

58
рой учтено влияние всех перечисленных выше факторов. Несмотря на не-
обходимость предварительной калибровки, метод получил широкое рас-
пространение при решении задач, требующих высокой локальности изме-
рений. Одной из таких задач является определение распределения удель-
ного сопротивления по толщине диффузионных, эпитаксиальных или ион-
но-имплантированных слоев. Измерения сопротивления растекания при
этом проводят
либо на косом шлифе, либо путем послойного стравливания
образца.
5.2. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда
в полупроводниках методом эффекта Холла
Эффект Холла широко используется для исследования электрофизи-
ческих свойств полупроводников, в частности для определения концентра-
ции и подвижности носителей заряда. Данный эффект носит имя амери-
канского физика Эдвина Холла, который впервые наблюдал его в 1879 го-
ду в тонких пластинах золота.
Суть эффекта Холла заключается в следующем. Пусть полупровод-
никовый образец прямоугольной
формы, по которому течет ток плотно-
стью
j, помещен в маг-
нитное поле
B, направ-
ленное перпендикулярно
вектору j (рис. 5.4). По-
лупроводник имеет
n-тип проводимости,
т. е. основными носите-
лями заряда являются
электроны. Под дейст-
вием электрического по-
ля
E электроны приоб-
ретают дрейфовую скорость
d
v, величина которой равна:
,Ev
d
где μ – подвижность носителей.
На движущуюся частицу с зарядом q действует сила Лоренца
F
л
, на-
правленная перпендикулярно векторам
B и
d
v:
d
q[v B].
л
F


Под действием силы Лоренца электроны отклоняются к боковой по-
верхности образца, в результате чего на ней создается избыток отрица-
Рис. 5.4. Эффект Холла в полупроводниках

Страницы