ВУЗ:
Составители:
70
Альтернативой временному методу является спектральный метод, кото-
рый обеспечивает более высокую точность измерения теплового сопротивле-
ния полупроводниковых приборов. В частотном методе нагрев производится
мощностью, изменяющейся по гармоническому закону
(5.1) ,
t
sin
1
P
0
P)
t
(P
где P
1
– амплитуда переменной составляющей мощности; P
0
– постоянная со-
ставляющая мощности (P
1
< P
0
); ω – частота модуляции греющей мощности.
Нагрев прибора осуществляется последовательностью прямоугольных им-
пульсов тока заданной амплитуды и частоты следования, длительность кото-
рых промодулирована по гармоническому закону
,)
t
sina(1
u0
τ
u
τ
где τ
u0
– средняя длительность импульсов; а – коэффициент, определяю-
щий глубину широтно-импульсной модуляции греющей мощности.
Измерение температурочувствительного параметра (напряжения на
p-n переходе при малом прямом токе) производится в паузах между грею-
щими импульсами, с небольшой относительно среза импульсов временной
задержкой, необходимой для завершения переходных электрических про-
цессов. Измерение U
ТЧП
начинается после непродолжительного предвари-
тельного разогрева полупроводникового прибора и вывода его в такой те-
пловой режим, при котором температура
p-n перехода будет пульсировать
относительно некоторого квазистационарного значения Т(t), изменяющего-
ся с частотой модуляции греющей мощности:
),
t
sin(
1
T
0
T)
t
(T
где Т
0
– среднее значение температуры p-n перехода, T
1
– амплитуда гар-
Рис. 5.8. Кривая нагрева p-n перехода полупроводникового прибора
в линейном (а) и логарифмическом (б) масштабе времени
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
