ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
67
Таким образом, МО металла образуют почти непрерывную зону
разрешенных энергий (этим, в частности, объясняется непрерывный, а
не линейчатый, как у атомов, или полосатый, как у молекул, спектр по-
глощения металлов). Разность между верхней и нижней энергиями (ΔЕ)
зоны называется шириной зоны. Зона, заполненная электронами, назы-
вается
валентной. Зона, свободная от электронов и находящаяся выше
валентной зоны, −
зона проводимости. Они могут либо перекрываться,
либо не перекрываться друг с другом. Если эти зоны не перекрываются,
то между ними существует
запрещенная зона с шириной ΔЕ.
Ширина запрещенной зоны определяет тип кристалла: металл, по-
лупроводник или диэлектрик (рис. 3.13).
Е
ΔЕ
ΔЕ
а б в
Рис. 3.13. Зонная структура металлов (а), полупроводников (б)
и диэлектриков (в)
(верхняя зона – зона проводимости, нижняя – валентная зона)
Теория, с помощью которой объясняют свойства кристаллов, полу-
чила название
зонной теории. При ширине запрещенной зоны ниже
4 эВ кристаллические вещества проявляют полупроводниковые свойст-
ва. При поглощении энергии электроны валентной зоны возбуждаются
и переходят в зону проводимости, а в валентной зоне появляются вакан-
сии электронов, которые имеют эффективный положительный заряд; их
называют дырками. Наличие подвижных электронов и дырок обеспечи-
вает собственную проводимость полупроводников. Собственную про-
водимость имеют, например, кремний и германий.
У диэлектриков ширина запрещенно
й зоны превышает 4 эВ. Для
возбуждения электронов требуется очень значительная энергия, нагре-
ванием такого возбуждения достичь невозможно, так как при этом кри-
сталл либо расплавится, либо разрушится.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
