Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 64 стр.

                      ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 11
                     Исследование биполярного транзистора

    Цель работы:
    Ознакомится с устройством и принципом действия полупроводнико-
вого транзистора и получить практические навыки по исследованию
входных и выходных характеристик транзистора.

                   1. Материалы для подготовки к работе

    Биполярный транзистор представляет собой трехэлектродный полу-
проводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами,
имеет три вывода и предназначен для усиления и генерирования электри-
ческих сигналов.
    Основным элементом транзистора является кристалл германия или
кремния, в котором с помощью соответствующих примесей созданы три
области (слоя) с различными типами проводимости. В германиевом тран-
зисторе (рис. 11.1, а) обычно два крайних слоя обладают дырочной про-
водимостью (p-области), а внутренний слой имеет электронную прово-
димость (n-область), в соответствии с чем такой транзистор называется
полупроводниковым триодом типа p-n-p.




                          a)                                      б)
             Рис. 11.1. Строение и условное обозначение биполярного транзистора

    Условное обозначение транзистора типа p-n-p показано на рис. 11.1, б.
Кремниевые транзисторы чаще изготовляют в виде полупроводниковых
триодов типа n-p-n, принципиальная схема и условное изображение ко-
торых показаны на рис. 11.2, б. Следует заметить, что принцип действия
полупроводниковых транзисторов независимо от их типа один и тот же.