Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КТИ ВолгГТУ | Камышин

Составители: 

Рубрика: 

В рассмотренном примере (см. рис. 11.1) базовый электрод является
общим для эмиттерной и коллекторной цепей. Такое включение транзи-
стора называют включением по схеме с общей базой. Схему усилительной
ячейки на транзисторе с общей базой можно применять на более высоких
частотах, однако она имеет коэффициент усиления по току меньше еди-
ницы и малое входное сопротивление. Возможны также другие способы
включения транзистора, с общим эмиттером (рис. 11.3, а), с общим кол-
лектором (рис. 11.3, б).
a) б)
Рис. 11.3. Схемы включения транзисторов:
а - с общим эммитером;
б – с общим коллектором
Схема включения транзистора с общим коллектором имеет большое
входное и малое выходное сопротивления. Поэтому ее часто применяют
в многокаскадных усилителях в качестве согласующего каскада и выход-
ного каскада при работе на низкоомную нагрузку.
Наиболее часто используют схему с общим эмиттером, с помощью
которой можно осуществлять усиление по току, напряжению и наиболь-
шее по сравнению с другими схемами включения транзистора усиление
по мощности. Эта схема характеризуется незначительным входным со-
противлением.
В схеме с общим эмиттером ток базы управляет током коллектора,
в схеме с общим коллектором ток базы управляет током эмиттера.
Входным напряжением в схеме с общим эмиттером является U
бэ
. На ба-
зе должно быть отрицательное напряжение (в случае транзистора тина
p-n-p, чтобы первый переход оказался открытым. Выходным напряже-
нием здесь является U
кэ
. Напряжение на коллекторе также должно быть
отрицательным относительно эмиттера, а чтобы второй переход был за-
крытым, напряжение на коллекторе по модулю должно превышать на-
пряжение на базе.
Представим себе структуру транзистора типа n-p-n, включенного по
схеме ОЭ (рис. 11.4, а). Условное обозначение такого транзистора приве-
дено на рис. 11.4, б. 
    В рассмотренном примере (см. рис. 11.1) базовый электрод является
общим для эмиттерной и коллекторной цепей. Такое включение транзи-
стора называют включением по схеме с общей базой. Схему усилительной
ячейки на транзисторе с общей базой можно применять на более высоких
частотах, однако она имеет коэффициент усиления по току меньше еди-
ницы и малое входное сопротивление. Возможны также другие способы
включения транзистора, с общим эмиттером (рис. 11.3, а), с общим кол-
лектором (рис. 11.3, б).




                    a)                                  б)
                         Рис. 11.3. Схемы включения транзисторов:
                                   а - с общим эммитером;
                                  б – с общим коллектором

     Схема включения транзистора с общим коллектором имеет большое
входное и малое выходное сопротивления. Поэтому ее часто применяют
в многокаскадных усилителях в качестве согласующего каскада и выход-
ного каскада при работе на низкоомную нагрузку.
     Наиболее часто используют схему с общим эмиттером, с помощью
которой можно осуществлять усиление по току, напряжению и наиболь-
шее по сравнению с другими схемами включения транзистора усиление
по мощности. Эта схема характеризуется незначительным входным со-
противлением.
     В схеме с общим эмиттером ток базы управляет током коллектора,
в схеме с общим коллектором ток базы управляет током эмиттера.
Входным напряжением в схеме с общим эмиттером является Uбэ. На ба-
зе должно быть отрицательное напряжение (в случае транзистора тина
p-n-p, чтобы первый переход оказался открытым. Выходным напряже-
нием здесь является Uкэ. Напряжение на коллекторе также должно быть
отрицательным относительно эмиттера, а чтобы второй переход был за-
крытым, напряжение на коллекторе по модулю должно превышать на-
пряжение на базе.
     Представим себе структуру транзистора типа n-p-n, включенного по
схеме ОЭ (рис. 11.4, а). Условное обозначение такого транзистора приве-
дено на рис. 11.4, б.

Страницы