Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 67 стр.

                       а)                               б)
                   Рис. 11.4. Принцип действия транзистора
                           а – структура транзистора;
                           б – условное обозначение

    Для удобства отсчета потенциалов эмиттер транзистора заземлим.
Входным электродом транзистора является база p-типа, выходным —
коллектор n-типа. В соответствии с изложенным ранее между базой и
эмиттером подается небольшое положительное напряжение Uбэ, а между
коллектором и эмиттером напряжение Uкэ также положительное и боль-
шее, чем Uбэ (несколько вольт). Тогда на переходах транзистора получа-
ются напряжения, соответствующие его работе в усилительном режиме.
    При подаче указанных напряжений в структуре транзистора проис-
ходят следующие явления. Поскольку на эмиттерный p-n-переход подано
прямое напряжение, возникает инжекция, т.е. введение электронов из
эмиттера в базу. Одновременно инжектируют и дырки из базы в эмиттер,
но этим явлением можно пренебречь, так как база имеет меньшую кон-
центрацию примесей по сравнению с эмиттером, а следовательно, и
меньшую концентрацию носителей заряда.
    Небольшая часть инжектированных электронов (1-3 %) рекомбини-
рует с дырками базы. За счет этого по проводу, соединенному с базой,
будет протекать небольшой ток базы Iб. Остальная часть электронов
(α=0,97÷0,99) проникает далее в коллектор. Этому способствует положи-
тельный заряд коллектора, а также то, что базу намеренно выполняют
очень тонкой (порядка 1 мкм).
    Из такого рассмотрения легко понять механизм усиления схемы ОЭ
по току и напряжению. Действительно, пусть за счет входного перемен-
ного сигнала напряжение Uбэ изменяется. Это приведет к значительным
колебаниям инжектированного эмиттером тока. Наиболее значительная
часть этого тока будет протекать в коллектор, а на долю базы опять будет
приходиться только небольшая часть тока. Это означает, что хотя вход-