Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КТИ ВолгГТУ | Камышин

Составители: 

Рубрика: 

Рис.11.5. Входные характеристики Рис. 11.6. Выходные характеристики
С увеличением тока базы I
б
характеристики смещаются вверх. Связь
между током коллектора I
к
и током базы I
б
определяется коэффициентом
передачи тока базы β=∆I
к
/∆I
б
, который легко можно выразить через из-
вестный коэффициент передачи тока эмиттера α:
β=∆I
к
/∆I
б
= ∆I
к
/(∆I
э
-∆I
к
) = α /(1 - α ).
Коэффициент передачи тока базы β зависит от напряжения на кол-
лекторе U
кэ
и от тока эмиттера I
э
. У транзисторов имеется некоторое оп-
тимальное значение тока эмиттера, при котором коэффициент передачи
тока базы β получается наибольшим.
При увеличении тока базы на ∆I
б
характеристика коллекторного тока
смещается вверх на β∆I
б
. Так как коэффициент передачи тока базы β за-
висит от тока эмиттера, смещение выходных характеристик вверх при
одинаковых изменениях тока базы получается различным: сначала рас-
стояние между характеристиками возрастает, а затем уменьшается.
При малых напряжениях на коллекторе ׀U
кэ
׀<׀U
бэ
׀ транзистор перехо-
дит в режим насыщения, при котором не основные заряды инжектируются
в базу не только эмиттером, но и коллекторным переходами. Для сохране-
ния тока базы неизменным (так как характеристики снимают при I
б
= const)
нужно уменьшить напряжение на базе, что приводит к резкому уменьше-
нию токов эмиттера и коллектора. В этом месте выходные характеристики
имеют резкий спад, коэффициент передачи тока базы β резко уменьшается,
эффективность управления коллекторным током снижается.
По выходным характеристикам можно определить также выходное
сопротивление транзистора R
выx
. Для этого в рабочей точке А при I
б
=
const задают приращение коллекторного напряжения ∆U
кэ
и определяют
получающееся при этом приращение тока коллектора ∆I
к
. Выходное со-
противление транзистора находят как отношение:
R
вых
=∆U
кэ
/∆I
к
. 
    Рис.11.5. Входные характеристики   Рис. 11.6. Выходные характеристики


     С увеличением тока базы Iб характеристики смещаются вверх. Связь
между током коллектора Iк и током базы Iб определяется коэффициентом
передачи тока базы β=∆Iк/∆Iб, который легко можно выразить через из-
вестный коэффициент передачи тока эмиттера α:
                     β=∆Iк /∆Iб = ∆Iк /(∆Iэ-∆Iк) = α /(1 - α ).
     Коэффициент передачи тока базы β зависит от напряжения на кол-
лекторе Uкэ и от тока эмиттера Iэ. У транзисторов имеется некоторое оп-
тимальное значение тока эмиттера, при котором коэффициент передачи
тока базы β получается наибольшим.
     При увеличении тока базы на ∆Iб характеристика коллекторного тока
смещается вверх на β∆Iб. Так как коэффициент передачи тока базы β за-
висит от тока эмиттера, смещение выходных характеристик вверх при
одинаковых изменениях тока базы получается различным: сначала рас-
стояние между характеристиками возрастает, а затем уменьшается.
     При малых напряжениях на коллекторе ‫׀‬Uкэ‫׀<׀‬Uбэ‫ ׀‬транзистор перехо-
дит в режим насыщения, при котором не основные заряды инжектируются
в базу не только эмиттером, но и коллекторным переходами. Для сохране-
ния тока базы неизменным (так как характеристики снимают при Iб = const)
нужно уменьшить напряжение на базе, что приводит к резкому уменьше-
нию токов эмиттера и коллектора. В этом месте выходные характеристики
имеют резкий спад, коэффициент передачи тока базы β резко уменьшается,
эффективность управления коллекторным током снижается.
     По выходным характеристикам можно определить также выходное
сопротивление транзистора Rвыx. Для этого в рабочей точке А при Iб =
const задают приращение коллекторного напряжения ∆Uкэ и определяют
получающееся при этом приращение тока коллектора ∆Iк. Выходное со-
противление транзистора находят как отношение:
                                 Rвых=∆Uкэ/∆Iк.

Страницы