Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 68 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КТИ ВолгГТУ | Камышин

Составители: 

Рубрика: 

ной ток базы небольшой, однако он вызывает значительные колебания
тока на выходе. Если же в коллекторную цепь включить резистор с дос-
таточно большим сопротивлением, то в соответствии с законом Ома ко-
лебания тока вызовут увеличение амплитуды колебания напряжения, т.е.
произойдет усиление сигнала и по току, и по напряжению.
Поскольку полярность напряжений, подаваемых на базу и коллек-
тор, положительная, обе цепи можно питать от одного источника, на базу
напряжение подают с помощью делителя, так как оно должно быть не-
большим.
Параметры транзистора можно определить по его входным и выход-
ным характеристикам. Входные характеристики транзистора, включенно-
го по схеме с общим эмиттером, представляют собой зависимости тока
базы от напряжения на базе:
I
б
=f(U
бэ
) при U
кэ
=const.
На рис. 11.5 приведены входные характеристики транзистора при его
включении с общим эмиттером.
При открытом первом переходе ток базы I
б
(т. е. входной ток) сильно
зависит от прямого напряжения на базе U
бэ
и мало зависит от обратного
напряжения U
кэ
(при его большом значении).
При увеличении обратного напряжения U
кэ
входная характеристика
немного смещается вниз, что объясняется уменьшением тока базы из-за
увеличения тока коллектора.
Используя входную характеристику транзистора, можно определить
его входное сопротивление R
вх
для определенного положения рабочей
точки А (рис. 11.5). Для этого при постоянном напряжении на коллекторе
U
кэ
задают приращение тока базы ∆I
б
и определяют получающееся при
этом изменение напряжения на базе ∆U
бэ.
Входное сопротивление тран-
зистора определяют как отношение R
вх
= ∆U
бэ
/ ∆I
б
.
Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с об-
щим эмиттером, представляют собой зависимости коллекторного тока от
напряжения на коллекторе:
I
к
= f(U
кэ
) при I
б
= const.
На рисунке 11.6 приведены выходные характеристики транзистора
включенного по схеме с общим эмиттером. 
ной ток базы небольшой, однако он вызывает значительные колебания
тока на выходе. Если же в коллекторную цепь включить резистор с дос-
таточно большим сопротивлением, то в соответствии с законом Ома ко-
лебания тока вызовут увеличение амплитуды колебания напряжения, т.е.
произойдет усиление сигнала и по току, и по напряжению.
     Поскольку полярность напряжений, подаваемых на базу и коллек-
тор, положительная, обе цепи можно питать от одного источника, на базу
напряжение подают с помощью делителя, так как оно должно быть не-
большим.
     Параметры транзистора можно определить по его входным и выход-
ным характеристикам. Входные характеристики транзистора, включенно-
го по схеме с общим эмиттером, представляют собой зависимости тока
базы от напряжения на базе:
                            Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.
     На рис. 11.5 приведены входные характеристики транзистора при его
включении с общим эмиттером.
     При открытом первом переходе ток базы Iб (т. е. входной ток) сильно
зависит от прямого напряжения на базе Uбэ и мало зависит от обратного
напряжения Uкэ (при его большом значении).
     При увеличении обратного напряжения Uкэ входная характеристика
немного смещается вниз, что объясняется уменьшением тока базы из-за
увеличения тока коллектора.
     Используя входную характеристику транзистора, можно определить
его входное сопротивление Rвх для определенного положения рабочей
точки А (рис. 11.5). Для этого при постоянном напряжении на коллекторе
Uкэ задают приращение тока базы ∆Iб и определяют получающееся при
этом изменение напряжения на базе ∆Uбэ. Входное сопротивление тран-
зистора определяют как отношение Rвх = ∆Uбэ / ∆Iб.
     Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с об-
щим эмиттером, представляют собой зависимости коллекторного тока от
напряжения на коллекторе:
                            Iк = f(Uкэ) при Iб = const.
     На рисунке 11.6 приведены выходные характеристики транзистора
включенного по схеме с общим эмиттером.

Страницы