Лабораторный практикум по электротехнике и электронике. Сошинов А.Г - 65 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КТИ ВолгГТУ | Камышин

Составители: 

Рубрика: 

Различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых к ним ис-
точников питания. Средняя область (слой) транзистора независимо от
типа является его базой Б или основанием, а крайние — эмиттером Э и
коллектором К.
Наличие трех слоев с различной проводимостью обусловливает на
границах их раздела два p-n-перехода, характеризующихся ди-
намическим равновесием. Чтобы вывести p-n-переход из состояния рав-
новесия, к нему прикладывается внешнее напряжение.
а) б)
Рис. 11.2. Схемы включения источников питания транзисторов
Схемы включения источников питания транзисторов типов p-n-p и
n-p-n показаны на рис. 11.2 а, б.
Транзисторы включаются в схему таким образом, чтобы к переходу
эмиттер—база внешнее напряжение было приложено в прямом направ-
лении, а к p-n-переходу коллектор – база – в обратном направлении.
При воздействии внешних напряжений потенциальный барьер меж-
ду эмиттером и базой понижается, а между базой и коллектором — уве-
личивается. В результате основные носители заряда эмиттерного слоя
переходят в область базы, а затем в область коллектора, создавая ток
коллекторного перехода.
Одновременно с этим происходит и переход основных носителей
заряда базы через эмиттерный переход. Однако в область базы при из-
готовлении транзистора вводят значительно меньшее количество ато-
мов примеси, чем в эмиттер, поэтому ток эмиттерного перехода созда-
ется главным образом переходом основных носителей эмиттерного
слоя. Если время прохождения основных носителей заряда эмиттера че-
рез область базы много меньше времени их независимого существова-
ния, то основная часть этих носителей доходит до коллекторного пере-
хода и попадает в область коллектора. При этом лишь небольшая часть
указанных носителей рекомбинирует в области базы с ее основными
носителями. Таким образом, значение тока в цепи коллекторного (за-
крытого) перехода зависит от значения тока в цепи эмиттерного (от-
крытого) перехода. 
Различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых к ним ис-
точников питания. Средняя область (слой) транзистора независимо от
типа является его базой Б или основанием, а крайние — эмиттером Э и
коллектором К.
    Наличие трех слоев с различной проводимостью обусловливает на
границах их раздела два p-n-перехода, характеризующихся ди-
намическим равновесием. Чтобы вывести p-n-переход из состояния рав-
новесия, к нему прикладывается внешнее напряжение.




             а)                                                 б)
          Рис. 11.2. Схемы включения источников питания транзисторов

     Схемы включения источников питания транзисторов типов p-n-p и
n-p-n показаны на рис. 11.2 а, б.
     Транзисторы включаются в схему таким образом, чтобы к переходу
эмиттер—база внешнее напряжение было приложено в прямом направ-
лении, а к p-n-переходу коллектор – база – в обратном направлении.
     При воздействии внешних напряжений потенциальный барьер меж-
ду эмиттером и базой понижается, а между базой и коллектором — уве-
личивается. В результате основные носители заряда эмиттерного слоя
переходят в область базы, а затем в область коллектора, создавая ток
коллекторного перехода.
     Одновременно с этим происходит и переход основных носителей
заряда базы через эмиттерный переход. Однако в область базы при из-
готовлении транзистора вводят значительно меньшее количество ато-
мов примеси, чем в эмиттер, поэтому ток эмиттерного перехода созда-
ется главным образом переходом основных носителей эмиттерного
слоя. Если время прохождения основных носителей заряда эмиттера че-
рез область базы много меньше времени их независимого существова-
ния, то основная часть этих носителей доходит до коллекторного пере-
хода и попадает в область коллектора. При этом лишь небольшая часть
указанных носителей рекомбинирует в области базы с ее основными
носителями. Таким образом, значение тока в цепи коллекторного (за-
крытого) перехода зависит от значения тока в цепи эмиттерного (от-
крытого) перехода.

Страницы