Физические методы исследования. Семинарские занятия. Часть 2. Стариковская С.М. - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МФТИ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

Рассмотрение проводимости полупроводников с энергетической точки зре-
ния возможно в рамках так называемой зонной теории. В полупроводнике верх-
няя из заполненных разрешенных зон называется валентной, а наиболее низ-
кая из незаполненных – зоной проводимости. Энергетический зазор между ни-
ми называется запрещенной зоной. Именно в запрещенной зоне располагают-
ся энергетические уровни донорных (акцепторных) атомов. Начнем нагревать
примесный полупроводник n-типа. С повышением температуры тепловое дви-
жение выбрасывает в зону проводимости электроны с донорных атомов гораздо
эффективнее, чем из валентной зоны. В итоге концентрация электронов в зоне
проводимости оказывается существенно выше концентрации дырок в валентной
зоне. В таких условиях электроны называются основными носителями, а дырки
– неосновными.
Задача 10.
Ширина запрещенной зоны зоны в PbS составляет 0.37эВ, а в германии с
примесью меди – 0.04 эВ. Оценить красную границу фотоприемника на основе
этих соединений.
Решение
Предоставляем возможность решить эту задачу читателю.
К фотоэлектрическим приемникам излучения относят фоторезисторы и фо-
тодиоды. Примесные фоторезисторы чувствительны к изменению температуры
окружающей среды. Так, при наличии уровней, отстоящих на 0.01 эВ от основ-
ной зоны, приемники должны работать при температуре жидкого гелия. Быст-
родействие фотодиода зависит от скорости диффузии фотоносителей в области
пространственного заряда и скорости переходных процессов на входе предуси-
лителя.
Рекомендуемая литература
1. Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т.4. Оптика. М.: “Наука. Физматлит.”
2. Л.Н.Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов
спектра. М.: Изд-во МФТИ, 1999.
3. В.В.Лебедева. Экспериментальная оптика. М.: Изд-во МГУ, 1999.
4. А.Н.Зайдель, Г.В.Островская, Ю.И.Островский. Техника и практика спек-
троскопии. М.:Наука, 1976.
5. Е.Л.Франкевич. Физические методы исследования. М., МФТИ. 1986.
40
   Рассмотрение проводимости полупроводников с энергетической точки зре-
ния возможно в рамках так называемой зонной теории. В полупроводнике верх-
няя из заполненных разрешенных зон называется валентной, а наиболее низ-
кая из незаполненных – зоной проводимости. Энергетический зазор между ни-
ми называется запрещенной зоной. Именно в запрещенной зоне располагают-
ся энергетические уровни донорных (акцепторных) атомов. Начнем нагревать
примесный полупроводник n-типа. С повышением температуры тепловое дви-
жение выбрасывает в зону проводимости электроны с донорных атомов гораздо
эффективнее, чем из валентной зоны. В итоге концентрация электронов в зоне
проводимости оказывается существенно выше концентрации дырок в валентной
зоне. В таких условиях электроны называются основными носителями, а дырки
– неосновными.
Задача 10.
   Ширина запрещенной зоны зоны в PbS составляет 0.37эВ, а в германии с
примесью меди – 0.04 эВ. Оценить красную границу фотоприемника на основе
этих соединений.
Решение
   Предоставляем возможность решить эту задачу читателю.
   К фотоэлектрическим приемникам излучения относят фоторезисторы и фо-
тодиоды. Примесные фоторезисторы чувствительны к изменению температуры
окружающей среды. Так, при наличии уровней, отстоящих на 0.01 эВ от основ-
ной зоны, приемники должны работать при температуре жидкого гелия. Быст-
родействие фотодиода зависит от скорости диффузии фотоносителей в области
пространственного заряда и скорости переходных процессов на входе предуси-
лителя.

Рекомендуемая литература
 1. Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т.4. Оптика. М.: “Наука. Физматлит.”
 2. Л.Н.Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов
    спектра. М.: Изд-во МФТИ, 1999.
 3. В.В.Лебедева. Экспериментальная оптика. М.: Изд-во МГУ, 1999.
 4. А.Н.Зайдель, Г.В.Островская, Ю.И.Островский. Техника и практика спек-
    троскопии. М.:Наука, 1976.
 5. Е.Л.Франкевич. Физические методы исследования. М., МФТИ. 1986.




                                    40

Страницы